Fugu-MT 論文翻訳(概要): Strong coupling between a single quantum dot and an L4/3 photonic crystal nanocavity

論文の概要: Strong coupling between a single quantum dot and an L4/3 photonic crystal nanocavity

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2006.06170v2
Date: Thu, 30 Jul 2020 22:17:57 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-05-16 00:48:34.699995
Title: Strong coupling between a single quantum dot and an L4/3 photonic crystal nanocavity
Title（参考訳）: 単一量子ドットとL4/3フォトニック結晶ナノキャビティの強い結合
Authors: Kazuhiro Kuruma, Yasutomo Ota, Masahiro Kakuda, Satoshi Iwamoto, Yasuhiko Arakawa
Abstract要約: 単一量子ドットとGaAs系L4/3型フォトニック結晶ナノキャビティとの強い結合を示す。 L4/3空洞は高い理論Q因子(8時間s106)、小さなモード体積(0.32 (lambda/n)3)、電界分布をサポートする。単一量子ドットとL4/3キャビティ間の強い結合をQ因子33,000で確認した。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: We demonstrate strong coupling between a single quantum dot and a GaAs-based L4/3-type photonic crystal nanocavity. The L4/3 cavity supports a high theoretical Q factor (~8{\times}10^6), a small mode volume (~0.32 (\lambda/n)^3), and an electric field distribution with the maximum electric field lying within the host dielectric material, which facilitates strong coupling with a quantum dot. We fabricated L4/3 cavities and observed a high Q factor over 80,000 using photoluminescence measurement. We confirmed strong coupling between a single quantum dot and an L4/3 cavity with a Q factor of 33,000 by observing a clear anti-crossing in the spectra.
Abstract（参考訳）: 単一量子ドットとGaAs系L4/3型フォトニック結晶ナノキャビティとの強い結合を示す。 L4/3空洞は、高い理論Q因子(~8{\times}10^6)、小さなモード体積(~0.32 (\lambda/n)^3)、宿主誘電体内に最大電界が配置された電界分布をサポートし、量子ドットとの強い結合を促進する。光ルミネッセンス測定によりL4/3空洞を作製し,高いQ因子を8万以上観察した。一つの量子ドットと33,000のq係数を持つl4/3キャビティとの強い結合をスペクトルの明確な反交差を観測することで確認した。

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