論文の概要: Spin coherence and depths of single nitrogen-vacancy centers created by ion implantation into diamond via screening masks

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2006.07763v1
• Date: Sun, 14 Jun 2020 01:31:07 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-05-14 19:10:19.392123
• Title: Spin coherence and depths of single nitrogen-vacancy centers created by ion implantation into diamond via screening masks
• Title（参考訳）: ダイヤモンドへのイオン注入により生成した単一窒素空孔中心のスピンコヒーレンスと深さ
• Authors: Shuntaro Ishizu, Kento Sasaki, Daiki Misonou, Tokuyuki Teraji, Kohei M. Itoh, and Eisuke Abe
• Abstract要約: 10-keVのN+イオンを薄いSiO$$の層でダイヤモンドに注入することで生成した窒素空孔(NV)センターをスクリーニングマスクとして特徴付ける。 表面近傍のNV中心を作るのに使われる標準の5keVに比べて比較的高い加速エネルギーにもかかわらず、スクリーニングマスクはダイヤモンド表面でピークとなるN$+$イオンの分布を変化させる。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: We characterize single nitrogen-vacancy (NV) centers created by 10-keV N+ ion implantation into diamond via thin SiO$_2$ layers working as screening masks. Despite the relatively high acceleration energy compared with standard ones (< 5 keV) used to create near-surface NV centers, the screening masks modify the distribution of N$^+$ ions to be peaked at the diamond surface [Ito et al., Appl. Phys. Lett. 110, 213105 (2017)]. We examine the relation between coherence times of the NV electronic spins and their depths, demonstrating that a large portion of NV centers are located within 10 nm from the surface, consistent with Monte Carlo simulations. The effect of the surface on the NV spin coherence time is evaluated through noise spectroscopy, surface topography, and X-ray photoelectron spectroscopy.
• Abstract（参考訳）: 10-keVのN+イオンを薄いSiO$2$の層でダイヤモンドに注入することで生成した窒素空孔(NV)をスクリーニングマスクとして特徴付ける。 表面近傍のNV中心を作るのに使用される標準の(<5 keV)に比べて比較的高い加速エネルギーにもかかわらず、スクリーニングマスクはダイヤモンド表面(Ito et al., Appl. Phys. 110, 213105 (2017))でピークとなるN$^+$イオンの分布を変更する。 我々は,NV電子スピンのコヒーレンス時間と深度の関係について検討し,NV中心の大部分が表面から10nm以内にあり,モンテカルロシミュレーションと一致していることを示した。 NVスピンコヒーレンス時間に対する表面の影響は、ノイズ分光、表面トポグラフィ、X線光電子分光によって評価される。

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