論文の概要: Low percolation density and charge noise with holes in germanium

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2007.06328v1
• Date: Mon, 13 Jul 2020 11:53:52 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-05-10 04:37:41.252848
• Title: Low percolation density and charge noise with holes in germanium
• Title（参考訳）: ゲルマニウム中のホールによる低パーコレーション密度と電荷ノイズ
• Authors: M. Lodari, N. W. Hendrickx, W. I. L. Lawrie, T. -K. Hsiao, L. M. K. Vandersypen, A. Sammak, M. Veldhorst, and G. Scappucci
• Abstract要約: 我々はGe/SiGeヘテロ構造を低障害および静穴量子ドット演算のために設計した。 ヘテロ構造体効果トランジスタでは、2.1times1010textcm-2$の2次元ホール輸送のパーコレーション密度を測定する。 これらの結果は、2次元スピン量子ビットアレイの有望なプラットフォームとして平面Geを確立する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: We engineer planar Ge/SiGe heterostructures for low disorder and quiet hole quantum dot operation by positioning the strained Ge channel 55~nm below the semiconductor/dielectric interface. In heterostructure field effect transistors, we measure a percolation density for two-dimensional hole transport of $2.1\times10^{10}~\text{cm}^{-2}$, indicative of a very low disorder potential landscape experienced by holes in the buried Ge channel. These Ge heterostructures support quiet operation of hole quantum dots and we measure charge noise levels that are below the detection limit $\sqrt{S_\text{E}}=0.2~\mu \text{eV}/\sqrt{\text{Hz}}$ at 1 Hz. These results establish planar Ge as a promising platform for scaled two-dimensional spin qubit arrays.
• Abstract（参考訳）: 半導体/誘電体界面の下方に歪Geチャネル55〜nmを配置することにより、低障害および静電ホール量子ドット動作のための平面Ge/SiGeヘテロ構造を設計した。 ヘテロ構造体電界効果トランジスタでは、埋設されたGeチャネルの孔で発生する非常に低い乱れポテンシャルの景観を示す2次元ホール輸送のパーコレーション密度を2.1\times10^{10}~\text{cm}^{-2}$で測定する。 これらのGeヘテロ構造はホール量子ドットの静かな操作をサポートし、検出限界である$\sqrt{S_\text{E}}=0.2~\mu \text{eV}/\sqrt{\text{Hz}}$を1Hzで測定する。 これらの結果は、2次元スピン量子ビットアレイの有望なプラットフォームとして平面Geを確立する。

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