Fugu-MT 論文翻訳(概要): Lightly-strained germanium quantum wells with hole mobility exceeding one million

論文の概要: Lightly-strained germanium quantum wells with hole mobility exceeding one million

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2112.11860v2
Date: Sat, 5 Feb 2022 17:30:17 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-03-03 20:24:38.263396
Title: Lightly-strained germanium quantum wells with hole mobility exceeding one million
Title（参考訳）: ホール移動度100万を超える軽ひずみゲルマニウム量子井戸
Authors: M. Lodari, O. Kong, M. Rendell, A. Tosato, A. Sammak, M. Veldhorst, A. R. Hamilton, G. Scappucci
Abstract要約: この低密度2Dホールシステムは、低密度および低磁場で調整可能な分数量子ホール効果を示す。軽いひずみを持つゲルマニウムは、高速でコヒーレントな量子ハードウェアのためのスピン軌道結合の強さを調整するための基礎である。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: We demonstrate that a lightly-strained germanium channel ($\varepsilon_{//}$ = -0.41%) in an undoped Ge/Si$_{0.1}$Ge$_{0.9}$ heterostructure field effect transistor supports a 2D hole gas with mobility in excess of 1$\times$10$^{6}$ cm$^{2}$/Vs and percolation density less than 5$\times$10$^{10}$ cm$^{-2}$. This low disorder 2D hole system shows tunable fractional quantum Hall effect at low density and low magnetic field. The low-disorder and small effective mass (0.068$m_e$) defines lightly-strained germanium as a basis to tune the strength of the spin-orbit coupling for fast and coherent quantum hardware.
Abstract（参考訳）: 非ドープge/si$_{0.1}$ge$_{0.9}$ヘテロ構造電界効果トランジスタにおける軽ひずみゲルマニウムチャネル(\varepsilon_{//}$ = -0.41%)は、1$\times$10$^{6}$cm$^{2}$/vs以上の移動性を持つ2dホールガスをサポートし、パーコレーション密度は5$\times$10$^{10}$cm$^{-2}$である。この低密度2Dホールシステムは、低密度および低磁場で調整可能な分数量子ホール効果を示す。低次かつ小さな有効質量(0.068$m_e$)は、高速でコヒーレントな量子ハードウェアのためのスピン軌道カップリングの強さをチューニングするための基礎として、軽く拘束されたゲルマニウムを定義する。

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