論文の概要: Noise performance & thermalization of single electron transistors using quantum fluids

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2010.06675v2
• Date: Tue, 28 Sep 2021 18:56:40 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-29 04:45:44.970994
• Title: Noise performance & thermalization of single electron transistors using quantum fluids
• Title（参考訳）: 量子流体を用いた単一電子トランジスタのノイズ特性と熱化
• Authors: N.R. Beysengulov, J.R. Lane, J.M. Kitzman, K. Nasyedkin, D.G. Rees and J. Pollanen
• Abstract要約: 超流動4ドルHeに浸漬した単一電子トランジスタの低温雑音測定について報告する。 この装置は、電荷感度電気計として機能し、SETに近接して電荷欠陥の変動を検出することができる。 超流動4$Heの存在は, 周囲のフォノン浴を冷却することにより, 欠陥の切替速度を強く抑制できることがわかった。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: We report on low-temperature noise measurements of a single electron transistor (SET) immersed in superfluid $^4$He. The device acts as a charge sensitive electrometer able to detect the fluctuations of charged defects in close proximity to the SET. In particular, we measure telegraph switching of the electric current through the device originating from a strongly coupled individual two-level fluctuator. By embedding the device in a superfluid helium immersion cell we are able to systematically control the thermalizing environment surrounding the SET and investigate the effect of the superfluid on the SET noise performance. We find that the presence of superfluid $^4$He can strongly suppress the switching rate of the defect by cooling the surrounding phonon bath.
• Abstract（参考訳）: 超流動^4$heに浸漬した単一電子トランジスタ(set)の低温ノイズ測定について報告する。 この装置は、電荷感度電気計として機能し、SETに近接して電荷欠陥の変動を検出することができる。 特に、強結合された個々の2レベルフラクタを起点とするデバイスを介して、電流の電信切替を測定する。 超流動ヘリウム浸漬セルに装置を埋め込むことにより、セット周辺の熱化環境を体系的に制御し、超流動がセットノイズ性能に及ぼす影響を調べることができる。 超流動性$^4$Heの存在は周囲のフォノン浴を冷却することにより欠陥の切替速度を強く抑制できることがわかった。

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