論文の概要: Broad diversity of near-infrared single-photon emitters in silicon

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2010.11068v2
• Date: Fri, 23 Oct 2020 14:44:09 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-28 03:09:26.961876
• Title: Broad diversity of near-infrared single-photon emitters in silicon
• Title（参考訳）: シリコン中近赤外単一光子エミッタの多様性
• Authors: A. Durand, Y. Baron, W. Redjem, T. Herzig, A. Benali, S. Pezzagna, J. Meijer, A. Yu. Kuznetsov, J.-M. G\'erard, I. Robert-Philip, M. Abbarchi, V. Jacques, G. Cassabois, and A. Dr\'eau
• Abstract要約: 光学活性点欠陥の7家系に属するシリコン中の個々のエミッタの検出について報告する。 単一光子放射は[1.1,1.55]-$mu$mの範囲で示され、O-およびC-telecom帯にまたがる。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: We report the detection of individual emitters in silicon belonging to seven different families of optically-active point defects. These fluorescent centers are created by carbon implantation of a commercial silicon-on-insulator wafer usually employed for integrated photonics. Single photon emission is demonstrated over the [1.1,1.55]-$\mu$m range, spanning the O- and C-telecom bands. We analyse their photoluminescence spectrum, dipolar emission and optical relaxation dynamics at 10K. For a specific family, we show a constant emission intensity at saturation from 10K to temperatures well above the 77K-liquid nitrogen temperature. Given the advanced control over nanofabrication and integration in silicon, these novel artificial atoms are promising candidates for Si-based quantum technologies.
• Abstract（参考訳）: 光学活性点欠陥の7家系に属するシリコン中の個々のエミッタの検出について報告する。 これらの蛍光中心は、一般的に集積フォトニクスに使用される商用シリコンオン絶縁体ウェハの炭素注入によって生成される。 単一光子放射は[1.1,1.55]-$\mu$mの範囲で示され、O-およびC-telecom帯にまたがる。 発光スペクトル,双極子放出,光緩和ダイナミクスを10Kで解析する。 特定の家系では, 飽和度が77K-液体窒素温度よりかなり高く, 10K-温度の飽和度が一定である。 ナノファブリケーションとシリコンへの集積の高度な制御を考えると、これらの新しい人工原子はSiベースの量子技術に有望な候補である。

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