論文の概要: Integrated quantum photonics with silicon carbide: challenges and
prospects
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2010.15700v1
- Date: Thu, 29 Oct 2020 15:44:13 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-27 00:48:27.711512
- Title: Integrated quantum photonics with silicon carbide: challenges and
prospects
- Title(参考訳): 炭化ケイ素を用いた集積量子フォトニクス : 課題と展望
- Authors: Daniil M. Lukin, Melissa A. Guidry, Jelena Vu\v{c}kovi\'c
- Abstract要約: 量子コンピューティングプロトコルは、システム内で許容される光子損失に厳格な制限を与える。
スピン欠陥をホストするほとんどの材料は、処理が困難である。
炭化ケイ素(SiC)は古典量子フォトニクスギャップを橋渡しするのに適している。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Optically-addressable solid-state spin defects are promising candidates for
storing and manipulating quantum information using their long coherence ground
state manifold; individual defects can be entangled using photon-photon
interactions, offering a path toward large scale quantum photonic networks.
Quantum computing protocols place strict limits on the acceptable photon losses
in the system. These low-loss requirements cannot be achieved without photonic
engineering, but are attainable if combined with state-of-the-art nanophotonic
technologies. However, most materials that host spin defects are challenging to
process: as a result, the performance of quantum photonic devices is orders of
magnitude behind that of their classical counterparts. Silicon carbide (SiC) is
well-suited to bridge the classical-quantum photonics gap, since it hosts
promising optically-addressable spin defects and can be processed into
SiC-on-insulator for scalable, integrated photonics. In this Perspective, we
discuss recent progress toward the development of scalable quantum photonic
technologies based on solid state spins in silicon carbide, and discuss current
challenges and future directions.
- Abstract(参考訳): 光順応可能な固体スピン欠陥は、その長いコヒーレンス基底状態多様体を用いて量子情報の保存と操作の候補として有望である;個々の欠陥は光子-光子相互作用によって絡み合うことができ、大規模量子フォトニクスネットワークへの道を提供する。
量子コンピューティングプロトコルは、システム内で許容される光子損失に厳格な制限を与える。
これらの低損失要件はフォトニックエンジニアリングなしでは達成できないが、最先端のナノフォトニック技術と組み合わせれば達成可能である。
しかし、スピン欠陥をホストするほとんどの材料は処理が困難であり、結果として量子フォトニックデバイスの性能は、従来のものよりも桁違いに向上している。
ケイ素炭化ケイ素(SiC)は、光学的に調節可能なスピン欠陥を許容し、スケーラブルで統合されたフォトニクスのためのSiC-on-insulatorに処理できるため、古典的量子フォトニクスギャップを埋めるのに適している。
本稿では,炭化ケイ素の固体スピンに基づくスケーラブルな量子フォトニクス技術開発に向けた最近の進展について論じ,今後の課題と方向性について論じる。
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