論文の概要: Spin Structure and Resonant Driving of Spin-1/2 Defects in SiC

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2011.09987v1
• Date: Thu, 19 Nov 2020 17:38:10 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-23 17:06:46.771102
• Title: Spin Structure and Resonant Driving of Spin-1/2 Defects in SiC
• Title（参考訳）: SiCにおけるスピン1/2欠陥のスピン構造と共鳴駆動
• Authors: Benedikt Tissot, Guido Burkard
• Abstract要約: 炭化ケイ素の遷移金属(TM)欠陥はスピンコヒーレンス特性が好ましい。 我々は、原子の$D$シェルに1/2のスピンを持つ1つの活性電子を持つTM欠陥をモデル化する。 スピン軌道結合は、追加の許容遷移と$g$-tensorの修正につながる。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Transition metal (TM) defects in silicon carbide have favorable spin coherence properties and are suitable as quantum memory for quantum communication. To characterize TM defects as quantum spin-photon interfaces, we model defects that have one active electron with spin 1/2 in the atomic $D$ shell. The spin structure, as well as the magnetic and optical resonance properties of the active electron emerge from the interplay of the crystal potential and spin-orbit coupling and are described by a general model derived using group theory. We find that the spin-orbit coupling leads to additional allowed transitions and a modification of the $g$-tensor. To describe the dependence of the Rabi frequency on the magnitude and direction of the static and driving fields, we derive an effective Hamiltonian. This theoretical description can also be instrumental to perform and optimize spin control in TM defects.
• Abstract（参考訳）: 炭化ケイ素の遷移金属(TM)欠陥はスピンコヒーレンス特性が良好であり、量子通信の量子メモリとして適している。 TM欠陥を量子スピン光子界面として特徴づけるために、原子の$D$シェルに1/2のスピンを持つ1つの活性電子を持つ欠陥をモデル化する。 スピン構造、および活性電子の磁気的および光学的共鳴特性は、結晶電位とスピン軌道結合の相互作用から生じ、群論から導かれた一般モデルによって記述される。 スピン軌道結合は、追加の許容遷移と$g$-tensorの変更をもたらすことが分かりました。 静的および駆動場の大きさと方向に対するラビ周波数の依存性を記述するために、有効ハミルトニアンを導出する。 この理論記述はtm欠陥におけるスピン制御の実行と最適化にも役立つ。

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