論文の概要: Dynamic modulation of phonon-assisted transitions in quantum defects in
monolayer transition-metal dichalcogenide semiconductors
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2007.14399v1
- Date: Tue, 28 Jul 2020 18:00:00 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-05-07 23:08:55.400463
- Title: Dynamic modulation of phonon-assisted transitions in quantum defects in
monolayer transition-metal dichalcogenide semiconductors
- Title（参考訳）: 単層遷移金属シアルコゲナイド半導体の量子欠陥におけるフォノン支援遷移の動的変調
- Authors: Chitraleema Chakraborty, Christopher J. Ciccarino and Prineha Narang
- Abstract要約: 単一カルコゲン空孔欠陥におけるスピン軌道結合が電子-フォノン相互作用に及ぼす影響について検討した。
スピン軌道は欠陥の光学的および電荷的遷移における電子-フォノン結合の大きさを調節する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Quantum localization via atomic point defects in semiconductors is of
significant fundamental and technological importance. Quantum defects in
monolayer transition-metal dichalcogenide semiconductors have been proposed as
stable and scalable optically-addressable spin qubits. Yet, the impact of
strong spin-orbit coupling on their dynamical response, for example under
optical excitation, has remained elusive. In this context, we study the effect
of spin-orbit coupling on the electron-phonon interaction in a single chalcogen
vacancy defect in monolayer transition metal dichalcogenides, molybdenum
disulfide (MoS$_2$) and tungsten disulfide (WS$_2$). From ab initio electronic
structure theory calculations, we find that spin-orbit interactions tune the
magnitude of the electron-phonon coupling in both optical and charge-state
transitions of the defect, modulating their respective efficiencies. This
observation opens up a promising scheme of dynamically modulating material
properties to tune the local behavior of a quantum defect.
- Abstract（参考訳）: 半導体における原子点欠陥による量子局在は重要な基礎的・技術的重要性を持つ。
単層遷移金属ジカルコゲナイド半導体の量子欠陥は、安定でスケーラブルなスピン量子ビットとして提案されている。
しかし、例えば光学励起下での動的応答に対する強いスピン軌道結合の影響は、いまだに解明されていない。
本研究では, 単層遷移金属ジアルコゲナイド, モリブデンジスルフィド (MoS$_2$), タングステンジスルフィド (WS$_2$) における単一カルコゲン空孔欠陥の電子-フォノン相互作用に及ぼすスピン軌道カップリングの効果について検討した。
ab 電子構造理論の計算から、スピン軌道相互作用は欠陥の光学的および電荷的遷移における電子-フォノン結合の大きさを調整し、それぞれの効率を変調する。
この観察は、量子欠陥の局所的挙動を調整するために動的に材料特性を変調する有望なスキームを開く。
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