論文の概要: Ab-intio study of ultrafast charge dynamics in graphene
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2012.00435v2
- Date: Wed, 6 Jan 2021 12:16:17 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-22 12:07:02.810074
- Title: Ab-intio study of ultrafast charge dynamics in graphene
- Title(参考訳): グラフェンの超高速電荷ダイナミクスのab-intioによる研究
- Authors: Q. Z. Li, P. Elliott, J. K. Dewhurst, S. Sharma, S. Shallcross
- Abstract要約: 我々は、過渡電子運動量密度が運動量励起電荷の優れた記述を提供することを示した。
最も強いレーザーパルスでさえも、電子力学がほぼ完全に$pi$バンドに支配されていることが分かる。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Monolayer graphene provides an ideal material to explore one of the
fundamental light-field driven interference effects: Landau-Zener-St\"uckelberg
interference. However, direct observation of the resulting interference
patterns in momentum space has not proven possible, with
Landau-Zener-St\"uckelberg interference observed only indirectly through
optically induced residual currents. Here we show that the transient electron
momentum density (EMD), an object that can easily be obtained in experiment,
provides an excellent description of momentum resolved charge excitation. We
employ state-of-the-art time-dependent density function theory calculations,
demonstrating by direct comparison of EMD with conduction band occupancy,
obtained from projecting the time propagated wavefunction onto the ground
state, that the two quantities are in excellent agreement. For even the most
intense laser pulses we find that the electron dynamics to be almost completely
dominated by the $\pi$-band, with transitions to other bands strongly
suppressed. Simple model based tight-binding approaches can thus be expected to
provide an excellent description for the laser induced electron dynamics in
graphene.
- Abstract(参考訳): グラフェン単層は、ランドウ・ツェナー=シュタッケルベルク干渉(landau-zener-st\"uckelberg interference)という光場駆動干渉効果の1つを調べるのに理想的な材料である。
しかし、運動量空間における干渉パターンの直接観測は不可能であり、ランダウ-ツェナー-シュタッケルベルク干渉は光学的に誘導された残留電流を通してのみ間接的に観測される。
ここでは,実験で容易に得られる物体である過渡電子運動量密度(emd)が,運動量分解電荷励起の優れた説明を与えることを示す。
時間伝播波動関数を基底状態に投影し,emdと導電帯占有率を直接比較することにより,実時間依存密度関数の計算を行い,この2つの量が良好な一致を示す。
最も強いレーザーパルスでさえも、電子力学は$\pi$バンドによってほぼ完全に支配され、他のバンドへの遷移は強く抑制されている。
したがって、単純なモデルに基づくタイト結合アプローチはグラフェンのレーザー誘起電子動力学に優れた説明をもたらすことが期待できる。
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