論文の概要: Automatic virtual voltage extraction of a 2x2 array of quantum dots with machine learning
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2012.03685v3
- Date: Fri, 22 Nov 2024 14:04:59 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2024-11-25 18:36:08.993004
- Title: Automatic virtual voltage extraction of a 2x2 array of quantum dots with machine learning
- Title(参考訳): 機械学習による量子ドットの2x2配列の自動仮想電圧抽出
- Authors: Giovanni A. Oakes, Jingyu Duan, John J. L. Morton, Alpha Lee, Charles G. Smith, M. Fernando Gonzalez Zalba,
- Abstract要約: 量子ドットの2x2配列におけるクロスキャパシタンスの効果を緩和し,それを2xNおよびNxN配列に拡張する理論的枠組みを開発する。
提案手法は,QD配列におけるクロスキャパシタンス効果を緩和する完全自動化ツールを提供する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.7852714805965528
- License:
- Abstract: Spin qubits in quantum dots are a compelling platform for fault-tolerant quantum computing due to the potential to fabricate dense two-dimensional arrays with nearest neighbour couplings, a requirement to implement the surface code. However, due to the proximity of the surface gate electrodes, cross-coupling capacitances can be substantial, making it difficult to control each quantum dot independently. Increasing the number of quantum dots increases the complexity of the calibration process, which becomes impractical to do heuristically. Inspired by recent demonstrations of industrial-grade silicon quantum dot bilinear arrays, we develop a theoretical framework to mitigate the effect of cross-capacitances in 2x2 arrays of quantum dots and extend it to 2xN and NxN arrays. The method is based on extracting the gradients in gate-voltage space of different charge transitions in multiple two-dimensional charge stability diagrams to determine the system's virtual gates. To automate the process, we train an ensemble of regression models to extract the gradients from a Hough transformation of charge stability diagrams and validate the algorithm on simulated and experimental data of a 2x2 quantum dot array. Our method provides a completely automated tool to mitigate cross-capacitance effects in arrays of QDs which could be utilised to study variability in device electrostatics across large arrays.
- Abstract(参考訳): 量子ドット内のスピン量子ビットは、表面コードを実装する必要のある近接結合で密度の高い2次元配列を作製する可能性から、フォールトトレラント量子コンピューティングにとって魅力的なプラットフォームである。
しかし、表面ゲート電極が近接しているため、クロスカップリング容量が著しくなり、それぞれの量子ドットを独立に制御することが困難になる。
量子ドットの数が増加すると、キャリブレーションプロセスの複雑さが増大し、これはヒューリスティックに行うには実用的ではない。
工業グレードのシリコン量子ドットバイリニアアレイの最近のデモンストレーションに触発されて、量子ドットの2x2配列におけるクロスキャパシタンスの効果を緩和し、2xNおよびNxN配列に拡張する理論的枠組みを開発した。
この方法は、複数の2次元電荷安定図における異なる電荷遷移のゲート電圧空間の勾配を抽出し、システムの仮想ゲートを決定することに基づいている。
このプロセスを自動化するために、回帰モデルのアンサンブルを訓練し、電荷安定性図のハフ変換から勾配を抽出し、2x2量子ドットアレイのシミュレーションおよび実験データに基づいてアルゴリズムの有効性を検証する。
本手法は,大規模アレイ間のデバイス静電容量変動の研究に利用可能な,QDアレイにおけるクロスキャパシタンス効果を緩和する,完全自動ツールを提供する。
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