Fugu-MT 論文翻訳(概要): Quantum photocell based on GaN quantum dots

論文の概要: Quantum photocell based on GaN quantum dots

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2012.13559v1
Date: Fri, 25 Dec 2020 11:06:19 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-04-19 07:39:15.363578
Title: Quantum photocell based on GaN quantum dots
Title（参考訳）: GaN量子ドットを用いた量子フォトセル
Authors: Abhishek Chakraborty and Vishvendra Singh Poonia
Abstract要約: 我々は、GaN QDの強電界と隣接QD間の励起双極子-双極子結合を利用して詳細バランスを破る。これはFanoの干渉よりもはるかに強い効果であり、そのような光セルは従来の光電圧と光電流の増大を示すことを示す。
参考スコア（独自算出の注目度）: 1.218340575383456
License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Abstract: In this work, we propose an efficient photocell based on GaN quantum dots. We exploit the strong built-in electric field in GaN QDs and excitonic dipole-dipole coupling between adjacent QDs to break detailed balance. This is a much stronger effect than Fano interference, and we show that such a photocell exhibits enhanced photo-voltage and photocurrent over its conventional counterpart. The proposed quantum photocell could be the first step towards harnessing quantum effects in practical energy harvesting devices.
Abstract（参考訳）: 本稿では,GaN量子ドットに基づく効率的な光セルを提案する。我々は、GaN QDの強電界と隣接QD間の励起双極子-双極子結合を利用して詳細バランスを破る。これはFanoの干渉よりもはるかに強い効果であり、そのような光セルは従来の光電圧と光電流の増大を示す。提案する量子光セルは、実用的なエネルギー収穫装置において量子効果を利用するための第一歩となるかもしれない。

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