論文の概要: Transport Properties in Gapped Bilayer Graphene
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2101.09473v1
- Date: Sat, 23 Jan 2021 10:24:51 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-14 04:23:40.439142
- Title: Transport Properties in Gapped Bilayer Graphene
- Title(参考訳): ガッピング二層グラフェンの輸送特性
- Authors: Nadia Benlakhouy, Abderrahim El Mouhafid, Ahmed Jellal
- Abstract要約: AB担持二層グラフェン(AB-BLG)の矩形電位障壁による輸送特性の検討
AB-BLGと比較して, 2バンドモデルと通常の入射では, 伝送中に余分な共鳴が現れる。
4つのバンドモデルについて、このギャップは「メキシコの帽子」のような振る舞いを示すことでエネルギー範囲の伝達を抑制することが分かる。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: We investigate transport properties through a rectangular potential barrier
in AB-stacked bilayer graphene (AB-BLG) gapped by dielectric layers. Using the
Dirac-like Hamiltonian with a transfer matrix approach we obtain transmission
and reflection probabilities as well as the associated conductance. For
two-band model and at normal incidence, we find extra resonances appearing in
transmission compared to biased AB-BLG, which are Fabry-P\'erot resonance type.
Now by taking into account the inter-layer bias, we show that both of
transmission and anti-Klein tunneling are diminished. Regarding four band
model, we find that the gap suppresses transmission in an energy range by
showing some behaviors look like "Mexican hats". We examine the total
conductance and show that it is affected by the gap compared to AA-stacked
bilayer graphene. In addition, we find that the suppression in conductance is
more important than that for biased AB-BLG.
- Abstract(参考訳): 誘電体層によるAB-BLG(AB-stacked bilayer graphene)の正方形電位障壁による輸送特性について検討した。
伝達行列アプローチによるディラック様ハミルトニアンを用いることで、伝達と反射の確率と関連するコンダクタンスを得る。
2バンドモデルと通常の入射では、Fabry-P'erot共鳴型であるバイアス付きAB-BLGと比較して、伝送中に余分な共鳴が現れる。
次に,層間バイアスを考慮し,トランスミッションとアンチクレイントンネルの両方が減少していることを示す。
4つのバンドモデルに関して、このギャップは「メキシコの帽子」のような振る舞いを示すことでエネルギー範囲の伝達を抑制する。
総コンダクタンスを調べた結果,AA型二層グラフェンと比較してギャップの影響が認められた。
さらにコンダクタンス抑制は, バイアスAB-BLGよりも重要であることがわかった。
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