論文の概要: Tunneling conductance through gapped bilayer graphene junctions
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2210.07173v1
- Date: Thu, 13 Oct 2022 16:53:59 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-01-22 16:55:23.053688
- Title: Tunneling conductance through gapped bilayer graphene junctions
- Title（参考訳）: ガッピング二層グラフェン接合によるトンネル導電性
- Authors: Nadia Benlakhouy, Ahmed Jellal, El Houssine Atmani
- Abstract要約: 単層グラフェン(SLG)およびAA/ABスタック二層グラフェン(BLG)接合の導電性について検討した。
フェルミエネルギーが層間ホッピングよりも大きい場合、二層領域長$d$の関数としてのコンダクタンスは、反共鳴の2つの異なるモデルを明らかにする。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: The conductance through single-layer graphene (SLG) and AA/AB-stacked bilayer
graphene (BLG) junctions is obtained by taking into account band gap and bias
voltage terms. First, we consider gapped SLG, while in between, they are
connected into pristine BLG. For Fermi energy larger than the interlayer
hopping, the conductance as a function of the bilayer region length $d$ reveals
two different models of anti-resonances with the same period. As a function of
the band gap, with AA-BLG stacking, the results show that the conductance has
the same minima whatever the value of $d$, and for AB-BLG, $d$ remains relevant
such that the system creates a global energy gap. Second, we consider pristine
SLG, and in between, they are connected to gapped-biased BLG. We observe the
appearance of peaks in the conductance profile with different periods and
shapes, and also the presence of Klein tunneling with zero conductance in
contrast to the first configuration. When $ d $ is less than 10, $G(E)$
vanishes and exhibits anti-Klein tunneling as a function of the Fermi energy
$E$. We also investigate the conductance as a function of the bias. For AA-BLG,
the results show antiresonances and diminish for a large value of the bias,
independently of the bilayer region of length. In contrast, the conductance in
AB-BLG has distinct characteristics in that it begins conducting with maxima
for small $E$ and with minima for large $E$.
- Abstract（参考訳）: バンドギャップとバイアス電圧項を考慮した単層グラフェン(SLG)およびAA/ABスタック二層グラフェン(BLG)接合による導電性を得る。
まず,SLGのギャップを考慮し,その間にプリスタンBLGに接続する。
層間ホッピングよりも大きなフェルミエネルギーの場合、二層領域長$d$の関数としてのコンダクタンスは、同じ周期の反共振の2つの異なるモデルを示す。
バンドギャップの関数として、AA-BLG積層では、コンダクタンスは$d$の値と同じミニマを持ち、AB-BLGの場合、$d$は系が大域的なエネルギーギャップを生じさせるような関係を保ったままである。
第2に, プリスタンSLGを考察し, その間において, ギャップドバイアスBLGと接続する。
コンダクタンス形状の異なるコンダクタンスプロファイルにおけるピークの出現と、第1のコンダクタンスとは対照的に、コンダクタンスゼロのクライントンネルの存在を観察した。
d $ が 10 より小さいとき、$G(E)$ は消滅し、フェルミエネルギー $E$ の関数として反クライントンネルを示す。
バイアスの関数としてのコンダクタンスについても検討する。
AA-BLGでは, 長さの2層領域とは無関係に, 反共鳴を示し, バイアスの値が大きく低下する。
対照的に、AB-BLGのコンダクタンスには、小さな$E$で最大値、大きな$E$でミニマ値を使い始めるという特徴がある。
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