Fugu-MT 論文翻訳(概要): Single-shot readout of a driven hybrid qubit in a GaAs double quantum dot

論文の概要: Single-shot readout of a driven hybrid qubit in a GaAs double quantum dot

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2101.11864v2
Date: Sat, 26 Jun 2021 07:35:37 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-04-13 11:57:29.005762
Title: Single-shot readout of a driven hybrid qubit in a GaAs double quantum dot
Title（参考訳）: GaAs二重量子ドットにおけるハイブリッド量子ビットの単一ショット読み出し
Authors: Wonjin Jang, Min-Kyun Cho, Hyeongyu Jang, Jehyun Kim, Jaemin Park, Gyeonghun Kim, Byoungwoo Kang, Hwanchul Jung, Vladimir Umansky, and Dohun Kim
Abstract要約: GaAs二重量子ドット中の3つの電子によって形成される半導体ハイブリッド量子ビットの単発射影読み出しを報告する。量子ビット演算と読み出し条件の間の電圧制御された断熱遷移は、量子状態の高忠実度マッピングを可能にする。
参考スコア（独自算出の注目度）: 2.621533844622817
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: We report a single-shot-based projective readout of a semiconductor hybrid qubit formed by three electrons in a GaAs double quantum dot. Voltage-controlled adiabatic transitions between the qubit operations and readout conditions allow high-fidelity mapping of quantum states. We show that a large ratio both in relaxation time vs. tunneling time (~ 50) and singlet-triplet splitting vs. thermal energy (~ 20) allow energy-selective tunneling-based spin-to-charge conversion with readout visibility ~ 92.6%. Combined with ac driving, we demonstrate high visibility coherent Rabi and Ramsey oscillations of a hybrid qubit in GaAs. Further, we discuss the generality of the method for use in other materials, including silicon.
Abstract（参考訳）: GaAs二重量子ドット中の3電子によって形成される半導体ハイブリッド量子ビットの単発射影読み出しを報告する。量子ビット演算と読み出し条件の間の電圧制御断熱遷移は、量子状態の高忠実度マッピングを可能にする。緩和時間とトンネル時間 (50) とシングルトリップ分割 (20) と熱エネルギー (20) の両方において大きな比が, 可視性 92.6% でエネルギー選択型トンネル方式のスピン・ツー・チャージ変換を可能にすることを示した。 ac駆動と組み合わせて、GaAsにおけるハイブリッド量子ビットの高可視コヒーレントなRabiとRamsey振動を示す。さらに、シリコンを含む他の材料での使用方法の汎用性についても論じる。

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