論文の概要: Measurement of tunnel coupling in a Si double quantum dot based on charge sensing

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2103.06409v1
• Date: Thu, 11 Mar 2021 01:47:18 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-08 11:31:54.071043
• Title: Measurement of tunnel coupling in a Si double quantum dot based on charge sensing
• Title（参考訳）: 電荷センシングに基づくsi二重量子ドットにおけるトンネル結合の測定
• Authors: Xinyu Zhao and Xuedong Hu
• Abstract要約: 我々はSiダブル量子ドット(DQD)のトンネル結合情報を抽出する4段階モデルを提案する。 我々の理論は、谷内トンネルと谷間トンネルの結合を高精度に決定し、個々の量子ドットの谷分割のようなシステムパラメータに対して堅牢である。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 3.585220964019024
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: In Si quantum dots, valley degree of freedom, in particular the generally small valley splitting and the dot-dependent valley-orbit phase, adds complexities to the low-energy electron dynamics and the associated spin qubit manipulation. Here we propose a four-level model to extract tunnel coupling information for a Si double quantum dot (DQD). This scheme is based on a charge sensing measurement on the ground state as proposed in the widely used protocol for a GaAs double dot [DiCarlo et. al., PRL 92. 226801]. Our theory can help determine both intra- and inter-valley tunnel coupling with high accuracy, and is robust against system parameters such as valley splittings in the individual quantum dots.
• Abstract（参考訳）: si量子ドットでは、谷の自由度、特に概して小さな谷の分割とドット依存の谷軌道位相は、低エネルギー電子動力学と関連するスピン量子ビット操作に複雑性を加える。 本稿では,Si二重量子ドット(DQD)のトンネル結合情報を抽出する4段階モデルを提案する。 このスキームは、GaAsダブルドット(DiCarlo et. al., PRL 92. 226801]の広く使われているプロトコルで提案されているように、基底状態における電荷検出測定に基づいている。 我々の理論は、谷内トンネルと谷間トンネルの結合を高精度に決定し、個々の量子ドットの谷分割のようなシステムパラメータに対して堅牢である。

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