論文の概要: Scalable creation of silicon-vacancy color centers in diamond by ion implantation through a 1-$\mu$m pinhole

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2102.00076v1
• Date: Fri, 29 Jan 2021 21:30:31 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-13 08:44:01.328550
• Title: Scalable creation of silicon-vacancy color centers in diamond by ion implantation through a 1-$\mu$m pinhole
• Title（参考訳）: 1-\mu$mピンホールによるイオン注入によるダイヤモンド中のシリコン空色中心のスケーラブルな生成
• Authors: L. Hunold, S. Lagomarsino, A.M. Flatae, H. Kambalathmana, F. Sledz, S. Sciortino, N. Gelli, L. Giuntini, M. Agio
• Abstract要約: ダイヤモンド中の量子エミッタの制御された生成は、単一光子デバイスの製造における主要な研究の成果である。 イオン注入による単結晶ダイヤモンド中のシリコン空孔(SiV)色中心のスケーラブル化について述べる。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: The controlled creation of quantum emitters in diamond represents a major research effort in the fabrication of single-photon devices. Here, we present the scalable production of silicon-vacancy (SiV) color centers in single-crystal diamond by ion implantation. The lateral position of the SiV is spatially controlled by a 1-$\mu$m pinhole placed in front of the sample, which can be moved nanometer precise using a piezo stage. The initial implantation position is controlled by monitoring the ion beam position with a camera. Hereby, silicon ions are implanted at the desired spots in an area comparable to the diffraction limit. We discuss the role of ions scattered by the pinhole and the activation yield of the SiV color centers for the creation of single quantum emitters.
• Abstract（参考訳）: ダイヤモンドにおける量子エミッタの制御は、単一光子デバイスの製造における主要な研究の成果である。 ここでは、イオン注入による単結晶ダイヤモンドにおけるシリコン空洞(SiV)色中心のスケーラブル化について述べる。 SiVの側方位置は試料の前方に1-\mu$mのピンホールで空間的に制御され、ピエゾステージを用いて正確にナノメートル移動することができる。 イオンビーム位置をカメラで監視することにより、初期注入位置を制御する。 これにより、シリコンイオンは回折限界に匹敵する領域の所望の位置に注入される。 ピンホールによって散乱されるイオンの役割と単一量子エミッタ生成のためのsiv色中心の活性化率について考察する。

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