論文の概要: Ultrastrong coupling between electron tunneling and mechanical motion
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2103.15219v3
- Date: Thu, 6 Oct 2022 20:22:09 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-06 08:03:28.462830
- Title: Ultrastrong coupling between electron tunneling and mechanical motion
- Title（参考訳）: 電子トンネルと機械的運動の超強結合
- Authors: Florian Vigneau, Juliette Monsel, Jorge Tabanera, Kushagra Aggarwal,
L\'ea Bresque, Federico Fedele, G.A.D Briggs, Janet Anders, Juan M.R.
Parrondo, Alexia Auff\`eves and Natalia Ares
- Abstract要約: 単一電子トンネルとナノメカニカルモーションの超強結合は、基本的な疑問を探求し、量子技術のための新しいプラットフォームを開発するエキサイティングな機会を開く。
フルサスペンションカーボンナノチューブデバイスにおけるこの電気機械的カップリングの測定とモデル化を行い、$g_mathrmm/omega_mathrmm = 2.72 pm 0.14$と、$g_mathrmm/2pi = 0.80pm 0.04$ GHzと$omega_mathrmm/2pi=294.5$の比を報告した。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0786460153386845
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: The ultrastrong coupling of single-electron tunneling and nanomechanical
motion opens exciting opportunities to explore fundamental questions and
develop new platforms for quantum technologies. We have measured and modeled
this electromechanical coupling in a fully-suspended carbon nanotube device and
report a ratio of $g_\mathrm{m}/\omega_\mathrm{m} = 2.72 \pm 0.14$, where
$g_\mathrm{m}/2\pi = 0.80\pm 0.04$ GHz is the coupling strength and
$\omega_\mathrm{m}/2\pi=294.5$ MHz is the mechanical resonance frequency. This
is well within the ultrastrong coupling regime and the highest among all other
electromechanical platforms. We show that, although this regime was present in
similar fully-suspended carbon nanotube devices, it went unnoticed. Even higher
ratios could be achieved with improvement on device design.
- Abstract（参考訳）: 単一電子トンネルとナノメカニカルモーションの超強結合は、基本的な疑問を探求し、量子技術の新たなプラットフォームを開発するエキサイティングな機会を開く。
我々は、この電気機械的カップリングを全置換カーボンナノチューブデバイスで測定、モデル化し、その比が$g_\mathrm{m}/\omega_\mathrm{m} = 2.72 \pm 0.14$, ここで、$g_\mathrm{m}/2\pi = 0.80\pm 0.04$ GHzは結合強度、$\omega_\mathrm{m}/2\pi=294.5$ MHzは機械共鳴周波数である。
これは超強結合状態にあり、他の全ての電気機械プラットフォームの中で最高である。
我々は、この構造がカーボンナノチューブデバイスにも存在したが、気づかれなかったことを証明した。
さらに高い比は、デバイス設計の改善によって達成できる。
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