論文の概要: Resistively detected NMR as a probe of the topological nature of
conducting edge/surface states
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2104.00146v2
- Date: Mon, 26 Jul 2021 18:49:20 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-06 00:14:20.792198
- Title: Resistively detected NMR as a probe of the topological nature of
conducting edge/surface states
- Title(参考訳): 導電性エッジ/表面状態のトポロジカルな性質のプローブとしてのNMR
- Authors: Zekun Zhuang, V. F. Mitrovi\'c, J. B. Marston
- Abstract要約: 本研究では, 表面導電状態のヘリカルな性質を探査するために, 抵抗検出核磁気共鳴法 (RDNMR) を応用できることを示す。
導電性は電子のヘリシティに対して印加磁場の方向に敏感であることを示す。
以上の結果から, RDNMRをTI状態の探査に利用することにより, 核スピンのRF制御による位相的に保護された状態のコヒーレントな操作が可能であることが示唆された。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Electron spins in edge or surface modes of topological insulators (TIs) with
strong spin-orbit coupling cannot be directly manipulated with microwaves due
to the locking of electron spin to its momentum. We show by contrast that a
resistively detected nuclear magnetic resonance (RDNMR) based technique can be
used to probe the helical nature of surface conducting states. In such
experiments, one applies a radio frequency (RF) field to reorient nuclear spins
that then couple to electronic spins by the hyperfine interaction. The spin of
the boundary electrons can thereby be modulated, resulting in changes in
conductance at nuclear resonance frequencies. Here, we demonstrate that the
conductivity is sensitive to the direction of the applied magnetic field with
respect to the helicity of the electrons. This dependence of the RDNMR signal
on angle probes the nature of the conductive edge or surface states. In the
case of 3D TI in the quantum Hall regime, we establish that the dominant
mechanism responsible for the conductance change in a RDNMR experiment is based
on the Overhauser field effect. Our findings indicate that the same physics
underlying the use of RDNMR to probe TI states also enables us to use RF
control of nuclear spins to coherently manipulate topologically protected
states which could be useful for a new generation of devices.
- Abstract(参考訳): 強いスピン軌道結合を持つ位相絶縁体(tis)のエッジまたは表面モードにおける電子スピンは、電子スピンの運動量へのロックのためマイクロ波では直接操作できない。
対照的に、抵抗的に検出された核磁気共鳴(rdnmr)に基づく技術は、表面導電状態のヘリカル性質を調べるのに使用できる。
このような実験では、無線周波数(RF)場をリオリエント核スピンに適用し、超微細相互作用によって電子スピンに結合する。
これにより、境界電子のスピンは変調され、核共鳴周波数での伝導度が変化する。
ここで、導電性は電子のヘリシティに関して印加された磁場の方向に敏感であることを示す。
RDNMR信号の角度への依存性は、導電性エッジまたは表面状態の性質をプローブする。
量子ホール系における3D TIの場合、RDNMR実験における伝導率変化の原因となる支配的なメカニズムはオーバーハウザー場効果に基づいている。
以上の結果から,RDNMRによる原子核スピンのRF制御を応用して,新しい世代のデバイスに有用な位相的に保護された状態のコヒーレントな操作を可能にすることが示唆された。
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