論文の概要: Dead time duration and active reset influence on the afterpulse
probability of InGaAs/InP single-photon avalanche diodes
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2104.03919v4
- Date: Fri, 1 Apr 2022 08:12:42 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-05 02:11:10.546137
- Title: Dead time duration and active reset influence on the afterpulse
probability of InGaAs/InP single-photon avalanche diodes
- Title（参考訳）: InGaAs/InP単光子アバランシェダイオードの余パルス確率に及ぼすデッド時間と活性リセットの影響
- Authors: A.V. Losev, V.V. Zavodilenko, A.A. Koziy, A.A. Filyaev, K.I.
Khomyakova, Y.V. Kurochkin, A.A. Gorbatsevich
- Abstract要約: InGaAs/InP sine-gated SPADにおける後押し確率のデッドタイム依存性について詳細に検討した。
このような解が鍵分布の観点から有益であることを示し、スナッチコンパレータを用いた単純なスキームを使用するのに十分であることを示した。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We have performed a detailed study of the dependence of afterpulse
probability in InGaAs/InP sine-gated SPAD on the dead time and the existing
approach for its implementation. We demonstrated an electrical scheme combining
sinusoidal gating and active reset. We have shown when such solutions are
beneficial from the key distribution point of view and enough to use a simple
scheme with a snatching comparator. We have also proposed a precise method for
measuring the afterpulse and presented a model describing the non-markovian
dynamic of this effect. We have demonstrated that our afterpulsing measurement
approach makes these measurements less dependent on the parameters of the flow
of the diode and the laser pulses power changes, in contrast to the other
methods considered in this paper.
- Abstract（参考訳）: InGaAs/InP sine-gated SPADにおける余パルス確率のデッド時間依存性とその実装方法に関する詳細な研究を行った。
正弦波ゲーティングとアクティブリセットを組み合わせた電気スキームを試作した。
このような解が鍵分布の観点から有益である場合や、スナッチコンパレータで単純なスキームを使える場合が示されている。
また,アフターパルスの正確な測定法を提案し,この効果の非マルコフ力学を記述するモデルを提案した。
この後パルス計測手法により,ダイオードの流れやレーザーパルスのパワー変化のパラメータ依存性が小さくなり,本論文で検討した他の手法とは対照的な結果が得られた。
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