論文の概要: A Raman heterodyne determination of the magnetic anisotropy for the
ground and optically excited states of Y$_{2}$SiO$_{5}$ doped with Sm$^{3+}$
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2104.11415v1
- Date: Fri, 23 Apr 2021 05:07:00 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-02 15:09:12.695298
- Title: A Raman heterodyne determination of the magnetic anisotropy for the
ground and optically excited states of Y$_{2}$SiO$_{5}$ doped with Sm$^{3+}$
- Title（参考訳）: グラウンドの磁気異方性およびsm$^{3+}$でドープされたy$_{2}$sio$_{5}$の光学励起状態のラマンヘテロダイン決定
- Authors: N. L. Jobbitt, J.-P. R. Wells, M. F. Reid, J. J. Longdell
- Abstract要約: 6$H$_5/2$Z$_1$と4$G$_5/2$A$_1$のフル磁気gテンソルを、Sm$3+$:Y$_2$SiO$_5$の両結晶サイトに対して提示する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We present the full magnetic g tensors of the $^{6}$H$_{5/2}$Z$_{1}$ and
$^{4}$G$_{5/2}$A$_{1}$ electronic states for both crystallographic sites in
Sm$^{3+}$:Y$_{2}$SiO$_{5}$, deduced through the use of Raman heterodyne
spectroscopy performed along 9 different crystallographic directions. The
maximum principle g values were determined to be 0.447 (site 1) and 0.523 (site
2) for the ground state and 2.490 (site 1) and 3.319 (site 2) for the excited
state. The determination of these g tensors provide essential spin Hamiltonian
parameters that can be utilized in future magnetic and hyperfine studies of
Sm$^{3+}$:Y$_{2}$SiO$_{5}$, with applications in quantum information storage
and communication devices.
- Abstract（参考訳）: 我々は、sm$^{3+}$:y$_{2}$sio$_{5}$における2つの結晶の電子状態に対して、$^{6}$h$_{5/2}$z$_{1}$と$^{4}$g$_{5/2}$a$_{1}$の磁気gテンソルを、ラマン・ヘテロダイン分光法を用いて9つの異なる結晶の方向に沿って解き明かした。
最大原理g値は0.447(サイト)と決定された。
1)および0.523(サイト)
2)地上状況と2.490(遺跡)
1)および3.319(サイト)
2) 励起状態に対する。
これらのgテンソルの決定は、将来のsm$^{3+}$:y$_{2}$sio$_{5}$の磁気および超微細構造の研究に、量子情報記憶および通信デバイスで応用できる必須スピンハミルトニアンパラメーターを提供する。
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