論文の概要: Band tail formation in mono and multilayered transition metal dichalcogenides: A detailed assessment and a quick-reference guide

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2107.10053v1
• Date: Wed, 21 Jul 2021 12:47:58 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-03-21 07:37:07.234478
• Title: Band tail formation in mono and multilayered transition metal dichalcogenides: A detailed assessment and a quick-reference guide
• Title（参考訳）: 単層および多層遷移金属ジカルコゲナイドにおけるバンドテール形成 : 詳細な評価とクイックリファレンスガイド
• Authors: Prasad Sarangapani, James Charles, Tillmann Kubis
• Abstract要約: 遷移金属ジアルコゲナイド(英語版)(TMD)は、様々な超小型電子、量子計算、光電子応用の候補である。 TMD単層および多層系のバンドテールは密度汎関数理論に基づく非平衡グリーン関数によって予測される。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 6.2049692007834505
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Transition metal dichalcogenides (TMDs) are promising candidates for a wide variety of ultrascaled electronic, quantum computation, and optoelectronic applications. The exponential decay of electronic density of states into the bandgap, i.e. the band tail has a strong impact on the performance of TMD applications. In this work, the band tails of various TMD monolayer and multilayer systems when placed on various dielectric substrates is predicted with density functional theory based nonequilibrium Green's functions. Nonlocal scattering of electrons on polar optical phonons, charged impurities and remote scattering on phonons in the dielectric materials is included in the self-consistent Born approximation. The band tails are found to critically depend on the layer thickness, temperature, doping concentration and particularly on the chosen dielectric substrate. The underlying physical mechanisms are studied in high detail and an analytical interpolation formula is given to provide a quick-reference for Urbach parameters in $MoS_2$, $WS_2$ and $WSe_2$.
• Abstract（参考訳）: 遷移金属ジアルコゲナイド(英語版)(TMD)は、様々な超小型電子、量子計算、光電子応用の候補である。 バンドギャップ中の状態の電子密度の指数関数的減衰、すなわちバンドテールは、TMDアプリケーションの性能に強い影響を与える。 本研究では, 各種誘電体基板上に配置したTMD単層および多層系のバンドテールを, 密度汎関数理論に基づく非平衡グリーン関数を用いて予測する。 極性光フォノン上の電子の非局所散乱、荷電不純物、誘電体中のフォノンのリモート散乱は自己整合ボルン近似に含まれる。 バンドテールは層厚、温度、ドーピング濃度、特に選択された誘電体基板に依存することが判明した。 基礎となる物理機構は詳細に研究され、解析的補間公式は、$MoS_2$, $WS_2$および$WSe_2$におけるウルバッハパラメータのクイック参照を提供するために与えられる。

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