論文の概要: Characterization of the lowest excited-state ro-vibrational level of
$^{23}$Na$^{87}$Rb
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2108.00624v1
- Date: Mon, 2 Aug 2021 04:28:53 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-03-20 03:28:54.244388
- Title: Characterization of the lowest excited-state ro-vibrational level of
$^{23}$Na$^{87}$Rb
- Title（参考訳）: 最低励起状態ロ-振動レベル$^{23}$Na$^{87}$Rbのキャラクタリゼーション
- Authors: Junyu He, Junyu Lin, Romain Vexiau, Nadia Bouloufa, Olivier Dulieu and
Dajun Wang
- Abstract要約: 我々は,高分解能レーザー分光法を用いて,$b3Pi$状態の低振動レベルについて検討した。
この電子スピン禁止の$X1Sigma+左利きb3Pi$遷移は、ほぼ対角のフランク・コンドン因子を特徴とする。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 2.0575351445652057
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Starting from an ultracold sample of ground-state $^{23}$Na$^{87}$Rb
molecules, we investigate the lowest ro-vibrational level of the $b^3\Pi$ state
with high resolution laser spectroscopy. This electronic spin-forbidden
$X^1\Sigma^+ \leftrightarrow b^3\Pi$ transition features a nearly diagonal
Franck-Condon factor and has been proposed useful for probing and manipulating
the ultracold molecular gas. We measure the transition strength directly by
probing the ac Stark shift induced by near resonance light and determine the
total excited-state spontaneous emission rate by observing the loss of
molecules. From the extracted branching ratio and the theoretical modeling, we
find that the leakage to the continuum of the $a^3\Sigma^+$ state plays the
dominant role in the total transition linewidth. Based on these results, we
show that it is feasible to create optical trapping potentials for maximizing
the rotational coherence with laser light tuned to near this transition.
- Abstract（参考訳）: 超低温の基底状態である$^{23}$na$^{87}$rb分子のサンプルから始め、高分解能レーザー分光法を用いて$b^3\pi$状態の最低ro振動レベルを調査した。
この電子スピン禁止$x^1\sigma^+ \leftrightarrow b^3\pi$遷移は、ほぼ対角形フランク・コンドン因子を特徴とし、超低温分子ガスの探索と操作に有用である。
我々は、近距離共鳴光によって誘導されるアクスタークシフトを探索して遷移強度を直接測定し、分子の損失を観察して総励起状態自然放出速度を決定する。
抽出された分岐比と理論モデルから,$a^3\sigma^+$状態の連続体への漏洩が全遷移線幅において支配的な役割を果たすことがわかった。
これらの結果から、この遷移に近い波長のレーザ光で回転コヒーレンスを最大化するための光トラップ電位を作成することが可能であることを示す。
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