論文の概要: Proximity-induced spin-polarized magnetocaloric effect in transition metal dichalcogenides

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2108.08371v1
• Date: Wed, 18 Aug 2021 20:08:23 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-03-18 03:08:40.009153
• Title: Proximity-induced spin-polarized magnetocaloric effect in transition metal dichalcogenides
• Title（参考訳）: 遷移金属ジアルコゲナイドのスピン偏極磁化効果
• Authors: Natalia Cort\'es, Francisco J. Pe\~na, Oscar Negrete and Patricio Vargas
• Abstract要約: 2次元遷移金属ジアルコゲナイドに対する近接誘起磁気カロリック効果について検討した。 我々はこのヘテロ構造を強結合モデルを用いてモデル化し、EuOに近接して誘導される交換場とラシュバ場を取り入れた。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: We explore proximity-induced magnetocaloric effect (MCE) on transition metal dichalcogenides, focusing on a two-dimensional (2D) MoTe$_2$ monolayer deposited on a ferromagnetic semiconductor EuO substrate connected to a heat source. We model this heterostructure using a tight-binding model, incorporating exchange and Rashba fields induced by proximity to EuO, and including temperature through Fermi statistics. The MCE is induced on the 2D MoTe$_2$ layer due to the EuO substrate, revealing large spin-polarized entropy changes for energies out of the band gap of the MoTe$_2$-EuO system. By gating the chemical potential, the MCE can be tuned to produce heating for spin up and cooling for spin down across the $K$ and $K'$ valley splitting in the valence band, whereas either heats or cools for both spins in the conduction band. The Rashba field enhances the MCE in the valence zone while decreasing it in the conduction bands. The exchange field-induced MCE could be useful to produce tunable spin-polarized thermal responses in magnetic proximitized 2D materials.
• Abstract（参考訳）: 熱源に結合した強磁性半導体EuO基板上に堆積した2次元(2次元)MoTe$_2$単層に焦点をあて, 遷移金属ジアルコゲナイドに対する近接誘起磁気カロリック効果(MCE)について検討した。 我々は,このヘテロ構造を強結合モデルを用いてモデル化し,EuOに近接して誘導される交換場とラシュバ場を組み込んだ。 MCEは、EuO基板による2D MoTe$_2$層上に誘導され、MoTe$_2-EuO系のバンドギャップ内におけるエネルギーのスピン偏極エントロピーの大きな変化を示す。 化学ポテンシャルをゲーティングすることで、mceは、バレンスバンドのk$とk'$谷分割のスピンダウンのための加熱と冷却を調整できるが、一方、伝導バンドの両スピンは熱か冷却される。 ラシュバフィールドは、コンダクテーションバンドでmceを減少させながら、ヴァレンスゾーンのmceを増強する。 交換磁場誘起MCEは、磁化2D材料における可変スピン偏光熱応答を生成するのに有用である。

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