Fugu-MT 論文翻訳(概要): GaAs quantum dots grown by droplet etching epitaxy as quantum light sources

論文の概要: GaAs quantum dots grown by droplet etching epitaxy as quantum light sources

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2109.01507v1
Date: Fri, 3 Sep 2021 13:31:24 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-03-16 06:28:05.942436
Title: GaAs quantum dots grown by droplet etching epitaxy as quantum light sources
Title（参考訳）: 量子光源としての液滴エッチングエピタキシーにより成長したGaAs量子ドット
Authors: Saimon Filipe Covre da Silva, Gabriel Undeutsch, Barbara Lehner, Santanu Manna, Tobias M. Krieger, Marcus Reindl, Christian Schimpf, Rinaldo Trotta, and Armando Rastelli
Abstract要約: 本稿では, 液滴エッチング法により得られたGaAs量子ドットのエピタキシャル成長と光学特性について, 高品質な量子光源として概観する。本稿では, 単一光子の生成と光子対の分極に関する最近の成果と, 量子通信における中心的な重要性の応用への応用について述べる。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Abstract: This paper presents an overview and perspectives on the epitaxial growth and optical properties of GaAs quantum dots obtained with the droplet etching method as high-quality sources of quantum light. We illustrate the recent achievements regarding the generation of single photons and polarization entangled photon pairs and the use of these sources in applications of central importance in quantum communication, such as entanglement swapping and quantum key distribution.
Abstract（参考訳）: 本稿では,液滴エッチング法により得られたGaAs量子ドットのエピタキシャル成長と光学特性について,高品質な量子光源として概説する。本稿では, 単一光子の生成と光子対の分極に関する最近の成果と, 量子通信における中心的重要性, 絡み合い交換や量子鍵分布などへの応用について述べる。

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