論文の概要: Monte Carlo simulations of spin transport in nanoscale In$_{0.7}$Ga$_{0.3}$As transistors: Temperature and size effects

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2110.05366v2
• Date: Tue, 14 Jun 2022 01:52:05 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-03-11 19:08:35.320237
• Title: Monte Carlo simulations of spin transport in nanoscale In$_{0.7}$Ga$_{0.3}$As transistors: Temperature and size effects
• Title（参考訳）: ナノスケールIn$_{0.7}$Ga$_{0.3}$Asトランジスタにおけるスピン輸送のモンテカルロシミュレーション:温度とサイズ効果
• Authors: B Thorpe, K Kalna and S Schirmer
• Abstract要約: スピンベース金属酸化物-半導体電界効果トランジスタは、電荷とスピン輸送の自己整合量子補正アンサンブルモンテカルロデバイスシミュレーションを用いて研究される。 ゲート長, ソース・トゥ・ゲート, ゲート・トゥ・ドレインスペーサの最大20nmの増加はスピン偏極を増大させ, 偏極再焦点効果によるドレインのスピン依存性ドレイン電流変調を増大させる。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Spin-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFET) with a high-mobility III-V channel are studied using self-consistent quantum corrected ensemble Monte Carlo device simulations of charge and spin transport. The simulations including spin-orbit coupling mechanisms (Dresselhaus and Rashba coupling) examine the electron spin transport in the 25 nm gate length In$_{0.7}$Ga$_{0.3}$As MOSFET. The transistor lateral dimensions (the gate length, the source-to-gate, and the gate-to-drain spacers) are increased to investigate the spin-dependent drain current modulation induced by the gate from room temperature of 300 K down to 77 K. This modulation increases with increasing temperature due to increased Rashba coupling. Finally, an increase of up to 20 nm in the gate length, source-to-gate, or the gate-to-drain spacers increases the spin polarization and enhances the spin-dependent drain current modulation at the drain due to polarization-refocusing effects.
• Abstract（参考訳）: 高能率III-Vチャネルを有するスピン系金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) について, 電荷およびスピン輸送のモンテカルロデバイスシミュレーションを用いて検討した。 スピン軌道結合機構(ドレセルハウスとラシュバのカップリング)を含むシミュレーションは、25nmゲート長In$_{0.7}$Ga$_{0.3}$As MOSFETの電子スピン輸送を調べる。 トランジスタ側方寸法(ゲート長,ソース・ツー・ゲートスペーサ,ゲート・ツー・ドレインスペーサ)を増大させ,300Kから77Kまでの室温からゲートによって誘導されるスピン依存性のドレイン電流変調を調べた。 最後に、ゲート長、ソースツーゲート、ゲートツードレインスペーサの最大20nmの増加はスピン偏光を増加させ、偏光再フォーカス効果によりドレインにおけるスピン依存ドレイン電流変調を増大させる。

関連論文リスト

• Exchange control in a MOS double quantum dot made using a 300 mm wafer process [0.6212050938816976]
  300mmウエハ金属酸化物半導体(MOS)プロセスで作製された量子ドットの最近の研究は、個々のスピン量子ビットの制御と読み出しを示している。 スピン-スピン交換相互作用を用いた2つの電子スピンのコヒーレント制御を実証し、エンタングゲートの基礎を形成する。 本研究は,分散センシング技術との統合とともに,2量子演算のための産業用グレードプラットフォームを実証した。
  論文  参考訳（メタデータ） (2024-08-02T13:00:10Z)
• Spin Current Density Functional Theory of the Quantum Spin-Hall Phase [59.50307752165016]
  スピン電流密度汎関数理論を量子スピンハル相に適用する。 我々は、SCDFTの電子-電子ポテンシャルにおけるスピン電流の明示的な説明が、ディラックコーンの出現の鍵であることを示す。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-08-29T20:46:26Z)
• Tunable planar Josephson junctions driven by time-dependent spin-orbit coupling [0.0]
  通常の超伝導体とIII-V半導体を統合することで、可変ジョセフソン接合(JJ)を実装するための多用途プラットフォームを提供する 安定相間の遷移はスピン軌道結合の強さの単純な線形変化によって実現されることを示す。 一定の有効磁場とスピン軌道結合の変化の間の相互作用は、超伝導スピントロニクス、マヨラナ境界状態の制御、および出現する量子ビットに直接的な意味を持つ。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-08-16T03:15:55Z)
• Electron-spin spectral diffusion in an erbium doped crystal at millikelvin temperatures [0.8961088845748072]
  ミリケルビン温度におけるErイオンの電子スピンコヒーレンスを制限するスペクトル拡散過程を特徴付ける。 コヒーレンス時間は強い温度依存性を示し、電子スピン遷移が167textEr$に対して23mKで1.3msに達する。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-03-28T18:20:47Z)
• Flying electron spin control gates [0.0]
  我々は、スピンとともに動く非接触ゲートを介して動く電子スピンの制御を実証する。 この概念は、表面音響波(SAW)によって定義された電位ドットによって閉じ込められ、輸送される電子スピンを用いて実現される。 移動点における沈降制御の度合いは, 従来報告されていた非拘束輸送の等級を桁違いに上回った。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-11-21T12:44:28Z)
• A Ballistic Two-Dimensional Lateral Heterojunction Bipolar Transistor [0.0]
  輸送は基地の電気化学的ポテンシャルによって制御されるため、上か下かのゲートを必要としないため、フィールドエフェクトトランジスタよりも本質的に薄い。 2次元材料における双極性ナノスケールデバイスの概念の豊かな世界を探索することは、電子工学や光エレクトロニクスに応用できる可能性を約束している。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-03-24T18:32:33Z)
• Chemical tuning of spin clock transitions in molecular monomers based on nuclear spin-free Ni(II) [52.259804540075514]
  単核ニッケル錯体の電子スピン準位が最も低い2つの電子準位の間に、大きさの大きい量子トンネル分割が存在することを報告する。 このギャップに関連するレベルの反交差(磁気時計遷移)は、熱容量実験によって直接監視されている。 これらの結果と、対称性によってトンネルが禁止されているCo誘導体との比較は、クロック遷移が分子間スピン-スピン相互作用を効果的に抑制することを示している。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-03-04T13:31:40Z)
• Superradiant phase transition in complex networks [62.997667081978825]
  我々はDicke-Isingモデルに対する超ラジアント位相遷移問題を考える。 正規,ランダム,スケールフリーなネットワーク構造について検討する。
  論文  参考訳（メタデータ） (2020-12-05T17:40:53Z)
• Photon Condensation and Enhanced Magnetism in Cavity QED [68.8204255655161]
  マイクロ波キャビティに結合した磁気分子系は平衡超ラジカル相転移を行う。 結合の効果は、量子イジングモデルにおける真空誘起強磁性秩序によって最初に示される。 透過実験は遷移を解くために示され、磁気の量子電気力学的制御を測定する。
  論文  参考訳（メタデータ） (2020-11-07T11:18:24Z)
• Long-range interaction in an open boundary-driven Heisenberg spin lattice: A far-from-equilibrium transition to ballistic transport [62.997667081978825]
  We study an open Heisenberg XXZ spin chain with long-range Ising-type interaction。 この遷移の鎖長は、遠方スピン間のイジング型相互作用の範囲の減少とともに増大している。 この遷移は、鎖の端における強磁性領域の抑制によって説明できる。
  論文  参考訳（メタデータ） (2020-04-27T12:22:50Z)
• Optimal coupling of HoW$_{10}$ molecular magnets to superconducting circuits near spin clock transitions [85.83811987257297]
  我々は,HoW$_10$磁性クラスターの純および磁性希釈結晶とマイクロ波超伝導コプラナー導波路とのカップリングについて検討した。 以上の結果から, 分子系のスピン時計状態は, スピン光子相互作用の大きさと, 不要な磁気ノイズ源からの十分な分離を両立させる, 有望な戦略であることがわかった。
  論文  参考訳（メタデータ） (2019-11-18T11:03:06Z)

関連論文リストは本サイト内にある論文のタイトル・アブストラクトから自動的に作成しています。

指定された論文の情報です。
本サイトの運営者は本サイト（すべての情報・翻訳含む）の品質を保証せず、本サイト（すべての情報・翻訳含む）を使用して発生したあらゆる結果について一切の責任を負いません。