論文の概要: Unity yield of deterministically positioned quantum dot single photon sources

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2110.08366v1
• Date: Fri, 15 Oct 2021 20:55:50 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-03-11 09:52:07.837261
• Title: Unity yield of deterministically positioned quantum dot single photon sources
• Title（参考訳）: 決定的位置決め量子ドット単一光子源のユニタリ収率
• Authors: Patrick Laferri\`ere, Edith Yeung, Isabelle Miron, David B. Northeast, Sofiane Haffouz, Jean Lapointe, Marek Korkusinski, Philip J. Poole, Robin L. Williams, Dan Dalacu
• Abstract要約: 製造収率100%の単一光子デバイスを製造するためのプラットフォームについて報告する。 ソースは、位置制御されたボトムアップInPナノワイヤ内に埋め込まれたInAsP量子ドットに基づいている。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: We report on a platform for the production of single photon devices with a fabrication yield of 100%. The sources are based on InAsP quantum dots embedded within position-controlled bottom-up InP nanowires. Using optimized growth conditions, we produce large arrays of structures having highly uniform geometries. Collection efficiencies are as high as 83% and multiphoton emission probabilities as low as 0.6% with the distribution away from optimal values associated with the excitation of other charge complexes and re-excitation processes, respectively, inherent to the above-band excitation employed. Importantly, emission peak lineshapes have Lorentzian profiles indicating that linewidths are not limited by inhomogeneous broadening but rather pure dephasing, likely elastic carrier-phonon scattering due to a high phonon occupation. This work establishes nanowire-based devices as a viable route for the scalable fabrication of efficient single photon sources and provides a valuable resource for hybrid on-chip platforms currently being developed.
• Abstract（参考訳）: 我々は,100%製造歩留まりを有する単一光子デバイス製造のためのプラットフォームについて報告する。 ソースは、位置制御されたボトムアップInPナノワイヤ内に埋め込まれたInAsP量子ドットに基づいている。 最適な成長条件を用いて,高度に均一なジオメトリを有する構造群を多数生成する。 コレクション効率は最大83%、多光子放出確率は0.6%と低く、他の電荷錯体の励起と再励起過程に関連する最適な値から離れた分布は、それぞれ、上記のバンド励起に固有のものである。 重要なことは、発光ピークのラインパップは、ライン幅が不均質な拡張によって制限されるのではなく、フォノンの占有率が高いため、おそらくは弾力性のあるキャリアフォノン散乱によって制限されることを示すローレンツのプロファイルを持つ。 この研究は、効率的な単一光子源のスケーラブルな製造方法としてナノワイヤベースのデバイスを確立し、現在開発中のハイブリッドオンチッププラットフォームに貴重な資源を提供する。

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