論文の概要: Vertical Injection and Wideband Grating Coupler Based on Asymmetric
Grating Trenches
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2110.14085v1
- Date: Tue, 26 Oct 2021 23:40:40 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-03-10 05:25:08.190656
- Title: Vertical Injection and Wideband Grating Coupler Based on Asymmetric
Grating Trenches
- Title(参考訳): 非対称格子トレンチに基づく垂直噴射と広帯域グレーティングカプラ
- Authors: Md Asaduzzaman, Robert J. Chapman, Brett C. Johnson, and Alberto
Peruzzo
- Abstract要約: シリコーンオン絶縁体 (SOI) は完全に垂直なファイバ・ツー・チップ・グレーティング・カプラを提案し, 設計したサブ波長構造に基づいて設計した。
非対称回折を実現するためのステップグレーティングを実装し、補助超短波長グレーティングによる効果的な指数変動を適用することにより、カプラの高方向性を実現する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.6299766708197881
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: A Silicon-on-insulator (SOI) perfectly vertical fibre-to-chip grating coupler
is proposed and designed based on engineered subwavelength structures. The high
directionality of the coupler is achieved by implementing step gratings to
realize asymmetric diffraction and by applying effective index variation with
auxiliary ultra-subwavelength gratings. The proposed structure is numerically
analysed by using two-dimensional Finite Difference Time Domain (2D FDTD)
method and achieves 76% (-1.19 dB) coupling efficiency and 39 nm 1-dB
bandwidth.
- Abstract(参考訳): シリコン・オン・インシュレーター (soi) 完全垂直なファイバー・チップ・グレーティング・カプラを提案し, 設計したサブ波長構造に基づいて設計した。
非対称回折を実現するためにステップグレーティングを実装し、補助超波長グレーティングで有効指数変動を適用することで、カプラの高方向性を達成する。
2次元差分時間領域 (2D FDTD) 法を用いて数値解析を行い、76% (-1.19 dB) の結合効率と39nm 1-dB帯域幅を実現する。
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