論文の概要: Facet Dependent Topological Phase Transition in Bi4Br4
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2111.11007v1
- Date: Mon, 22 Nov 2021 06:23:55 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-03-07 04:40:35.013654
- Title: Facet Dependent Topological Phase Transition in Bi4Br4
- Title（参考訳）: Bi4Br4の面依存位相相転移
- Authors: Jingyuan Zhong, Ming Yang, Fei Ye, Chen Liu, Jiaou Wang, Weichang Hao,
Jincheng Zhuang, Yi Du
- Abstract要約: 準1次元材料Bi4Br4の表面選択電子特性の進化を可視化するために、磁気伝導特性とARPES(角分解光電子分光法)を適用した。
ARPESスペクトルは、面(100)面における準1次元の質量を持たないディラック表面状態と、頂(001)面における異方性質量のディラック表面状態の実験的証拠を提供する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 9.345365635170733
- License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
- Abstract: The realization of the coexistence of various topologically nontrivial
surface states in one material is expected to lay a foundation for new electric
applications with selective robust spin current. Here we apply the
magnetoconductivity characteristic and angle-resolved photoemission
spectroscopy (ARPES) to visualize the surface-selected electronic features
evolution of quasi-one-dimensional material Bi4Br4. The transport measurements
indicate the quantum interference correction to conductivity possesses symbolic
spin rotational characteristic correlated to the value of Berry phase with the
effects of weak localization and weak antilocalization for (001) and (100)
surfaces, respectively. The ARPES spectra provide the experimental evidence for
quasi-one-dimensional massless Dirac surface state at the side (100) surface
and anisotropic massive Dirac surface state at the top (001) surface,
respectively, which is highly coincide with the angle-dependent scaling
behavior of magnetoconductivity. Our results reveal the facet dependent
topological phases in quasi-one-dimensional Bi4Br4, stimulating the further
investigations of this dual topology classes and the applications of the
feasible technologies of topological spintronics.
- Abstract（参考訳）: 1つの材料における様々なトポロジカル非自明な表面状態の共存の実現は、選択的頑健なスピン電流を持つ新しい電気応用の基礎となることが期待されている。
本稿では、準1次元材料Bi4Br4の表面選択電子特性の進化を可視化するために、磁気伝導特性と角度分解型光電子分光法を適用する。
導電率に対する量子干渉補正は, (001) 面と (100) 面に対する弱局在化と弱非局在化の影響で, ベリー相の値と相関するシンボリックスピン回転特性を有することを示す。
ARPESスペクトルは、側(100)面における準一次元の質量を持たないディラック表面状態と、上(001)面における異方性質量のディラック表面状態の実験的証拠を提供する。
この結果から, 準1次元Bi4Br4の面依存位相が明らかとなり, この2重トポロジークラスのさらなる研究と, トポロジカルスピントロニクスの実現可能な技術の適用が促進された。
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