論文の概要: Magnetoresistance oscillations induced by geometry in a two-dimensional quantum ring
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2406.15151v1
- Date: Fri, 21 Jun 2024 13:54:40 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-06-24 13:22:51.682684
- Title: Magnetoresistance oscillations induced by geometry in a two-dimensional quantum ring
- Title（参考訳）: 2次元量子環における幾何誘起磁気抵抗振動
- Authors: Francisco A. G. de Lira, Edilberto O. Silva, Christian D. Santangelo,
- Abstract要約: 非零温度でのサブバンド占有の異なる状況下で、平均半径が800hspace0.05cmtextnm$のGaAsデバイスを考える。
変形した表面が、異なる周波数のアハロノフ・ボーム振動によって生じるファン・フーブ伝導特異点と磁気抵抗干渉パターンにどのように影響するかを考察する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/
- Abstract: In this work, we investigate the effects of a controlled conical geometry on the electric charge transport through a two-dimensional quantum ring weakly coupled to both the emitter and the collector. These mesoscopic systems are known for being able to confine highly mobile electrons in a defined region of matter. Particularly, we consider a GaAs device having an average radius of $800\hspace{0.05cm}\text{nm}$ in different regimes of subband occupation at non-zero temperature and under the influence of a weak and uniform background magnetic field. Using the adapted Landauer formula for the resonant tunneling and the energy eigenvalues, we explore how the modified surface affects the Van-Hoove conductance singularities and the magnetoresistance interference patterns resulting from the Aharonov-Bohm oscillations of different frequencies. Magnetoresistance oscillations depending only on the curvature intensity are reported, providing a new feature that represents an alternative way to optimize the transport through the device by tuning its geometry.
- Abstract（参考訳）: 本研究では、制御された円錐形状がエミッタとコレクタの両方に弱結合された2次元量子環を経由する電荷輸送に与える影響について検討する。
これらのメソスコピック系は、物質の定義領域で高度に移動した電子を閉じ込めることが知られている。
特に,非零温度でのサブバンド占有の異なる条件下での平均半径が800\hspace{0.05cm}\text{nm}$のGaAsデバイスを,弱かつ均一な背景磁場の影響下で検討する。
共振トンネルとエネルギー固有値に適応したランダウアー公式を用いて、変形表面が異なる周波数のアハロノフ・ボーム振動によって生じるファン・フーブ導電率特異点と磁気抵抗干渉パターンにどのように影響するかを探索する。
回転強度のみに依存する磁気抵抗振動を報告し、その形状を調整してデバイスを通しての輸送を最適化する代替の方法を示す新しい特徴を提供する。
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