Fugu-MT 論文翻訳(概要): Regulate the direct-indirect electronic band gap transition by electron-phonon interaction in BaSnO3

論文の概要: Regulate the direct-indirect electronic band gap transition by electron-phonon interaction in BaSnO3

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2111.11180v3
Date: Mon, 11 Apr 2022 04:00:27 GMT
ステータス: 翻訳完了
システム内更新日: 2023-03-08 04:15:50.124509
Title: Regulate the direct-indirect electronic band gap transition by electron-phonon interaction in BaSnO3
Title（参考訳）: BaSnO3における電子-フォノン相互作用による直接間接電子バンドギャップ転移の制御
Abstract要約: SrドーピングはBaSnO3の間接バンドギャップの調整に重要な役割を果たした。 SrドーピングはBaSnO3の間接バンドギャップの調整に重要な役割を果たした。
参考スコア（独自算出の注目度）: 11.157411500221336
License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
Abstract: The neutron powder diffraction, specific heat, thermal conductivity, and Raman scattering measurements were presented to study the interplays of lattice, phonons and electrons of the Sr-doping Ba1-xSrxSnO3 (x was less than or equal to 0.1). Although Ba1-xSrxSnO3 kept the cubic lattice, the Raman spectra suggested a dynamic distortion at low temperature. The density functional theory was applied to analyze the electronic structures and phonon dispersions of Ba1-xSrxSnO3(x = 0, 0.0125), and the behaviors of electron bands around Fermi levels were discussed. According to the experimental and theoretical results, the Sr-doping played a significant role in tuning the indirect band gap of BaSnO3 and influenced the electron-phonon interaction.
Abstract（参考訳）: 中性子粉末回折,比熱,熱伝導率,ラマン散乱の測定を行い,SrドーピングBa1-xSrxSnO3(xは0.1以下)の格子,フォノン,電子の相互作用を検討した。 Ba1-xSrxSnO3は立方体格子を保持していたが、ラマンスペクトルは低温での動的歪みを示した。密度汎関数理論を用いてBa1-xSrxSnO3(x = 0, 0.0125)の電子構造とフォノン分散を分析し, フェルミ準位周辺の電子バンドの挙動を考察した。実験および理論的結果によると、SrドーピングはBaSnO3の間接バンドギャップの調整に重要な役割を果たし、電子-フォノン相互作用に影響を与えた。

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