Fugu-MT 論文翻訳(概要): Regulate the direct-indirect electronic band gap transition by electron-phonon interaction in BaSnO3

論文の概要: Regulate the direct-indirect electronic band gap transition by electron-phonon interaction in BaSnO3

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2111.11180v3
Date: Mon, 11 Apr 2022 04:00:27 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-03-08 04:15:50.124509
Title: Regulate the direct-indirect electronic band gap transition by electron-phonon interaction in BaSnO3
Title（参考訳）: BaSnO3における電子-フォノン相互作用による直接間接電子バンドギャップ転移の制御
Authors: Binru Zhao, Qing Huang, Jiangtao Wu, Jinlong Jiao, Mingfang Shu, Gaoting Lin, Qiyang Sun, Ranran Zhang, Masato Hagihala, Shuki Torri, Guohua Wang, Qingyong Ren, Chen Li, Zhe Qu, Haidong Zhou, Jie Ma
Abstract要約: SrドーピングはBaSnO3の間接バンドギャップの調整に重要な役割を果たした。 SrドーピングはBaSnO3の間接バンドギャップの調整に重要な役割を果たした。
参考スコア（独自算出の注目度）: 11.157411500221336
License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
Abstract: The neutron powder diffraction, specific heat, thermal conductivity, and Raman scattering measurements were presented to study the interplays of lattice, phonons and electrons of the Sr-doping Ba1-xSrxSnO3 (x was less than or equal to 0.1). Although Ba1-xSrxSnO3 kept the cubic lattice, the Raman spectra suggested a dynamic distortion at low temperature. The density functional theory was applied to analyze the electronic structures and phonon dispersions of Ba1-xSrxSnO3(x = 0, 0.0125), and the behaviors of electron bands around Fermi levels were discussed. According to the experimental and theoretical results, the Sr-doping played a significant role in tuning the indirect band gap of BaSnO3 and influenced the electron-phonon interaction.
Abstract（参考訳）: 中性子粉末回折,比熱,熱伝導率,ラマン散乱の測定を行い,SrドーピングBa1-xSrxSnO3(xは0.1以下)の格子,フォノン,電子の相互作用を検討した。 Ba1-xSrxSnO3は立方体格子を保持していたが、ラマンスペクトルは低温での動的歪みを示した。密度汎関数理論を用いてBa1-xSrxSnO3(x = 0, 0.0125)の電子構造とフォノン分散を分析し, フェルミ準位周辺の電子バンドの挙動を考察した。実験および理論的結果によると、SrドーピングはBaSnO3の間接バンドギャップの調整に重要な役割を果たし、電子-フォノン相互作用に影響を与えた。

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