論文の概要: The intrinsic (trap-free) transistors based on perovskite single
crystals with self-passivated surfaces
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2112.13056v1
- Date: Fri, 24 Dec 2021 13:08:45 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-03-03 09:15:18.647018
- Title: The intrinsic (trap-free) transistors based on perovskite single
crystals with self-passivated surfaces
- Title（参考訳）: 自己受動面を有するペロブスカイト単結晶に基づく固有(トラップフリー)トランジスタ
- Authors: V. Bruevich, L. Kasaei, S. Rangan, H. Hijazi, Z. Zhang, T. Emge, E.
Andrei, R. A. Bartynski, L. C. Feldman, V. Podzorov
- Abstract要約: 臭化セシウム(CsPbBr3)のエピタキシャルセシウム単結晶薄膜に基づく高性能ペロブスカイトFETを実証する。
室温30cm2V-1s-1から50Kで250cm2V-1s-1まで,CsPbBr3 FETの荷電担体移動率が冷却時に増加することを示す。
ここで述べられているエピタキシャル成長とFETの製法は、ハイブリッドを含む他のペロブスカイトにも自然に拡張することができる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Lead-halide perovskites emerged as novel semiconducting materials suitable
for a variety of optoelectronic applications. However, fabrication of reliable
perovskite field-effect transistors (FETs), the devices necessary for the
fundamental and applied research on charge transport properties of this class
of materials, has proven challenging. Here we demonstrate high-performance
perovskite FETs based on epitaxial, single crystalline thin films of cesium
lead bromide (CsPbBr3). An improved vapor-phase epitaxy has allowed growing
truly large-area, atomically flat films of this perovskite with excellent
structural and surface properties. FETs based on these CsPbBr3 films exhibit
textbook transistor characteristics, with a very low hysteresis and high
intrinsic charge carrier mobility. Availability of such high-performance
devices has allowed the study of Hall effect in perovskite FETs for the first
time. Our magneto-transport measurements show that the charge carrier mobility
of CsPbBr3 FETs increases on cooling, from ~ 30 cm2V-1s-1 at room temperature,
to ~ 250 cm2V-1s-1 at 50 K, exhibiting a band transport mostly limited by
phonon scattering. The epitaxial growth and FET fabrication methodologies
described here can be naturally extended to other perovskites, including the
hybrid ones, thus representing a technological leap forward, overcoming the
performance bottleneck in research on perovskite FETs.
- Abstract（参考訳）: 鉛ハロゲン化ペロブスカイトは様々な光電子応用に適した新しい半導体材料として登場した。
しかし、このタイプの材料の電荷輸送特性に関する基礎的および応用研究に必要なデバイスである信頼性ペロブスカイト電界効果トランジスタ(FET)の製造は困難であることが証明されている。
ここでは,セシウム鉛臭化物(cspbbr3)のエピタキシャル単結晶薄膜に基づく高性能ペロブスカイトfetを示す。
気相エピタキシーの改善により、このペロブスカイトの真に大きな原子平らな膜を、優れた構造と表面特性で成長させることができる。
これらのCsPbBr3膜に基づくFETは、非常に低いヒステリシスと高い固有の電荷キャリアモビリティを有する教科書トランジスタ特性を示す。
このような高性能デバイスが利用可能になったことで、ペロブスカイトFETにおけるホール効果が初めて研究された。
CsPbBr3 FETの荷電担体移動度は, 室温で約30 cm2V-1s-1から50 Kで約250 cm2V-1s-1に増加し, 主にフォノン散乱による帯域輸送が制限された。
ここで説明されるエピタキシャル成長とFET製造法は、ハイブリッドを含む他のペロブスカイトにも自然に拡張可能であり、ペロブスカイトFETの研究における性能ボトルネックを克服する技術的な進歩を表している。
関連論文リスト
- Harnessing Room-Temperature Ferroelectricity in Metal Oxide Monolayers for Advanced Logic Devices [1.237067623522156]
二次元強誘電体材料は、電力効率の高いメモリデバイスやトランジスタ用途に有用である。
我々は, 自発分極が顕著な金属酸化物単分子膜の新しいファミリーにおける面外強誘電率を予測した。
我々の研究は、先進的で高性能なメモリおよびロジックデバイスを開発するためのMO単層層のさらなる探索を動機付けている。
論文 参考訳（メタデータ） (2024-10-25T14:21:56Z) - Transport properties and quantum phase transitions in one-dimensional superconductor-ferromagnetic insulator heterostructures [44.99833362998488]
最近製造された半導体-超伝導-強磁性絶縁体ハイブリッドに着想を得た1次元電子ナノデバイスを提案する。
FMI層長をオレンジ色または/またはグローバルバックゲート電圧を印加することにより、スピン及びフェルミオンパリティ変化QPTを調整可能であることを示す。
以上の結果から,これらの効果は実験的に利用可能であり,ハイブリッドナノワイヤにおける量子相転移の研究のための堅牢なプラットフォームを提供する可能性が示唆された。
論文 参考訳（メタデータ） (2024-10-18T22:25:50Z) - Site-Controlled Purcell-Induced Bright Single Photon Emitters in Hexagonal Boron Nitride [62.170141783047974]
六方晶窒化ホウ素(hBN)でホストされる単一光子エミッタは、室温で動作する量子フォトニクス技術にとって必須の構成要素である。
我々はPurcellにより誘導されるサイト制御SPEのためのプラズモンナノ共振器の大規模アレイを実験的に実証した。
我々の結果は、明るく、均一に統合された量子光源の配列を提供し、堅牢でスケーラブルな量子情報システムへの道を開いた。
論文 参考訳（メタデータ） (2024-05-03T23:02:30Z) - Crystal-GFN: sampling crystals with desirable properties and constraints [103.79058968784163]
本稿では,結晶構造の生成モデルであるCrystal-GFNを紹介する。
本稿では,MatBenchで学習した新しいプロキシ機械学習モデルにより予測された結晶構造の原子1個あたりの生成エネルギーを目的として利用する。
その結果、Crystal-GFNは低(中間-3.1 eV/原子)で生成エネルギーが予測される非常に多様な結晶をサンプリングできることが示された。
論文 参考訳（メタデータ） (2023-10-07T21:36:55Z) - Nanocavity-mediated Purcell enhancement of Er in TiO$_2$ thin films
grown via atomic layer deposition [0.9822586588159397]
3価エルビウム(Er$3+$)は固体の原子欠陥として埋め込まれており、量子通信のためのスピンベースの量子メモリとして期待されている。
シリコン基板上へのErドープ二酸化チタン薄膜成長について, 鋳造性原子層堆積法を用いて検討した。
本研究は,Erドープ材料とシリコンフォトニクスを一体化するための低温・非破壊・基板非依存プロセスを示す。
論文 参考訳（メタデータ） (2023-09-23T22:41:56Z) - Qubit-compatible substrates with superconducting through-silicon vias [0.0]
超伝導量子プロセッサに適した超伝導路と電極を特徴付ける。
単光子レベルに励起された試験共振器の内部品質係数を100万。
地平面の縫合は、量子プロセッサチップの物理サイズを増やすための重要な技術である。
論文 参考訳（メタデータ） (2022-01-25T16:13:18Z) - TOF-SIMS Analysis of Decoherence Sources in Nb Superconducting
Resonators [48.7576911714538]
超伝導量子ビットは、潜在的に基盤となるプラットフォーム技術として出現している。
材料品質と界面構造は、デバイスの性能を抑え続けている。
薄膜および隣接領域の2レベル系欠陥はノイズを導入し、電磁エネルギーを散逸させる。
論文 参考訳（メタデータ） (2021-08-30T22:22:47Z) - Creating Quantum Emitters in Hexagonal Boron Nitride Deterministically
on Chip-Compatible Substrates [51.112488102081734]
2次元ヘキサゴナル窒化ホウ素(hBN)は室温単一光子発光体(SPE)をホストする
本稿では,原子間力顕微鏡(AFM)先端を用いたナノインデンテーションにより,hBN SPEを決定的に活性化する放射線・リソグラフィーのない経路について報告する。
論文 参考訳（メタデータ） (2021-06-28T20:58:02Z) - Quantum Sensors for Microscopic Tunneling Systems [58.720142291102135]
トンネル2層系(TLS)は超伝導量子ビットなどのマイクロファブリック量子デバイスにおいて重要である。
本稿では,薄膜として堆積した任意の材料に個々のTLSを特徴付ける手法を提案する。
提案手法は, トンネル欠陥の構造を解明するために, 量子材料分光の道を開く。
論文 参考訳（メタデータ） (2020-11-29T09:57:50Z) - Microscopic Relaxation Channels in Materials for Superconducting Qubits [76.84500123816078]
我々は,T_$と粒径の相関,粒界に沿った酸素拡散の促進,表面近傍の亜酸化物濃度について検討した。
物理機構は、これらの微視的特性を残留表面抵抗と、粒界および亜酸化物の欠陥から生じる損失を通じて$T_$と結合する。
量子ビットデコヒーレンスチャートを理解するためのこの包括的なアプローチは、超伝導量子ビット性能の材料駆動改善のための経路である。
論文 参考訳（メタデータ） (2020-04-06T18:01:15Z)
関連論文リストは本サイト内にある論文のタイトル・アブストラクトから自動的に作成しています。
指定された論文の情報です。
本サイトの運営者は本サイト（すべての情報・翻訳含む）の品質を保証せず、本サイト（すべての情報・翻訳含む）を使用して発生したあらゆる結果について一切の責任を負いません。