論文の概要: Devitalizing noise-driven instability of entangling logic in silicon
devices with bias controls
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2202.04281v3
- Date: Fri, 25 Mar 2022 01:52:08 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-02-26 07:12:26.370190
- Title: Devitalizing noise-driven instability of entangling logic in silicon
devices with bias controls
- Title(参考訳): バイアス制御シリコンデバイスにおけるエンタングル論理の雑音駆動不安定化
- Authors: Hoon Ryu, Ji-Hoon Kang
- Abstract要約: 本研究は,シリコンゲルマニウムヘテロ構造に基づく量子ドット系における2量子エンタングリング動作のノイズロス性について検討する。
本稿では,CNOT動作のノイズロス性を大幅に向上させる装置工学の戦略について論じる。
この研究が提示するデバイス設計と制御の詳細は、シリコンベースの量子プロセッサをセキュアにするための、稀だが実用的なガイドラインを確立することができる。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: The quality of quantum bits (qubits) in silicon is highly vulnerable to
charge noise that is omni-present in semiconductor devices and is in principle
hard to be suppressed. For a realistically sized quantum dot system based on a
silicon-germanium heterostructure whose confinement is manipulated with
electrical biases imposed on top electrodes, we computationally explore the
noise-robustness of 2-qubit entangling operations with a focus on the
controlled-X (CNOT) logic that is essential for designs of gate-based universal
quantum logic circuits. With device simulations based on the physics of bulk
semiconductors augmented with electronic structure calculations, we not only
quantify the degradation in fidelity of single-step CNOT operations with
respect to the strength of charge noise, but also discuss a strategy of device
engineering that can significantly enhance noise-robustness of CNOT operations
with almost no sacrifice of speed compared to the single-step case. Details of
device designs and controls that this work presents can establish a rare but
practical guideline for potential efforts to secure silicon-based quantum
processors using an electrode-driven quantum dot platform.
- Abstract(参考訳): シリコンの量子ビット(量子ビット)の品質は、半導体デバイスに全在する電荷ノイズに対して非常に脆弱であり、原理上抑制が困難である。
シリコン-ゲルマニウムヘテロ構造に基づく現実的な大きさの量子ドットシステムにおいて,ゲート型ユニバーサル量子論理回路の設計に不可欠な制御x(cnot)論理に着目し,2量子ビット絡み動作のノイズロバストネスを計算的に検討する。
電子構造計算を付加したバルク半導体の物理に基づくデバイスシミュレーションにより、単段cnot動作の電荷ノイズの強さに対する忠実さの低下を定量化するだけでなく、単段の場合に比べてほとんど速度を犠牲にすることなくcnot動作のノイズロバスト性を大幅に向上できるデバイス工学の戦略についても論じる。
この研究が提示するデバイス設計と制御の詳細は、電極駆動の量子ドットプラットフォームを使用してシリコンベースの量子プロセッサをセキュアにするための、稀ながら実用的なガイドラインを確立することができる。
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