論文の概要: Modelling dielectric loss in superconducting resonators: Evidence for
interacting atomic two-level systems at the Nb/oxide interface
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2203.05054v3
- Date: Sat, 29 Oct 2022 16:12:17 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-02-22 19:16:53.083119
- Title: Modelling dielectric loss in superconducting resonators: Evidence for
interacting atomic two-level systems at the Nb/oxide interface
- Title（参考訳）: 超伝導共振器の誘電損失のモデル化:nb/酸化物界面における原子2レベル系の相互作用の証拠
- Authors: N. Gorgichuk, T. Junginger, R. de Sousa
- Abstract要約: アモルファス表面/界面の2レベル系欠陥は超伝導共振器と量子ビットのエネルギー緩和に寄与する。
ここでは、相互作用するTLS損失接点と非相互作用するTLS損失接点を補間するモデルを提案し、実験データの数値解析を行う。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: While several experiments claim that two-level system (TLS) defects in
amorphous surfaces/interfaces are responsible for energy relaxation in
superconducting resonators and qubits, none can provide quantitative
explanation of their data in terms of the conventional noninteracting TLS
model. Here a model that interpolates between the interacting and
noninteracting TLS loss tangent is proposed to perform numerical analysis of
experimental data and extract information about TLS parameters and their
distribution. As a proof of principle, the model is applied to TESLA cavities
that contain only a single lossy material in their interior, the
niobium/niobium oxide interface. The best fits show interacting TLSs with a
sharp modulus of electric dipole moment for both thin (5 nm) and thick (100 nm)
oxides, indicating that the TLSs are "atomic" instead of "glassy". The proposed
method can be applied to other devices with multiple material interfaces and
substrates, with the goal of elucidating the nature of TLSs causing energy loss
in resonators and qubits.
- Abstract（参考訳）: アモルファス表面や界面の2レベルシステム(TLS)欠陥が超伝導共振器や量子ビットのエネルギー緩和の原因であると主張する実験もあるが、従来の非相互作用TLSモデルではそのデータの定量的な説明はできない。
そこで, 対話型TLS損失接点と非対話型TLS損失接点を補間するモデルを提案し, 実験データの数値解析を行い, TLSパラメータとその分布に関する情報を抽出する。
原理の証明として、モデルは内部に1つの損失物質、ニオブ/酸化ニオブ界面を含むTESLAキャビティに適用される。
最適適合性は、薄い(5nm)および厚い(100nm)酸化物の電気双極子モーメントの鋭いモーメントと相互作用するTLSを示し、TLSは「ガラス」ではなく「原子」であることを示している。
提案手法は, 共振器および量子ビットのエネルギー損失の原因となるTLSの性質を明らかにすることを目的として, 複数の材料界面と基板を持つ他のデバイスに適用することができる。
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