論文の概要: Advances in actinide thin films: synthesis, properties, and future directions

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2204.10444v1
• Date: Fri, 22 Apr 2022 00:19:08 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-02-16 01:13:35.007928
• Title: Advances in actinide thin films: synthesis, properties, and future directions
• Title（参考訳）: アクチニド薄膜の進歩 : 合成, 物性, 今後の展開
• Authors: K. D. Vallejo, F. Kabir, N. Poudel, C. A. Marianetti, D. H. Hurley, P. J. Simmonds, C. A. Dennett, K. Gofryk
• Abstract要約: アクチニドを基とする化合物は、5f電子の存在によりユニークな物理を示す。 アチニド材料の薄膜合成は高純度試料の生成に成功している。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Actinide-based compounds exhibit unique physics due to the presence of 5f electrons, and serve in many cases as important technological materials. Targeted thin film synthesis of actinide materials has been successful in generating high-purity specimens in which to study individual physical phenomena. These films have enabled the study of the unique electron configuration, strong mass renormalization, and nuclear decay in actinide metals and compounds. The growth of these films, as well as their thermophysical, magnetic, and topological properties, have been studied in a range of chemistries, albeit far fewer than most classes of thin film systems. This relative scarcity is the result of limited source material availability and safety constraints associated with the handling of radioactive materials. Here, we review recent work on the synthesis and characterization of actinide-based thin films in detail, describing both synthesis methods and modelling techniques for these materials. We review reports on pyrometallurgical, solution-based, and vapor deposition methods. We highlight the current state-of-the-art in order to construct a path forward to higher quality actinide thin films and heterostructure devices.
• Abstract（参考訳）: アクチニド系化合物は5f電子の存在によりユニークな物理学を示し、多くの場合重要な技術材料として機能する。 アクチニド材料のターゲット薄膜合成は、個々の物理現象を研究するための高純度試料の生成に成功している。 これらの膜は、アクチニド金属や化合物の独特な電子配置、強い質量再正規化、核崩壊の研究を可能にした。 これらのフィルムの成長と、その熱物理学的、磁気的、トポロジカルな性質は、多くの薄膜系よりもはるかに少ないものの、様々な化学系で研究されてきた。 この相対的不足は、放射性物質の取り扱いに関する限られた原料の可用性と安全性の制約の結果である。 本稿では,アクチニド系薄膜の合成とキャラクタリゼーションに関する最近の研究を概説し,これらの材料の合成法とモデリング技術について述べる。 本研究では, ピロメタロジカル法, 溶液法, 蒸着法について概説する。 高品質のアクチニド薄膜やヘテロ構造デバイスへの道を構築するために, 最先端技術に注目した。

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