論文の概要: Neutral silicon vacancy centers in undoped diamond via surface control

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2206.13698v1
• Date: Tue, 28 Jun 2022 02:10:39 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-02-07 13:01:54.893065
• Title: Neutral silicon vacancy centers in undoped diamond via surface control
• Title（参考訳）: 表面制御による非ドープダイヤモンド中中性シリコン空孔中心
• Authors: Zi-Huai Zhang, Josh A. Zuber, Lila V. H. Rodgers, Xin Gui, Paul Stevenson, Minghao Li, Marietta Batzer, Marcel.li Grimau, Brendan Shields, Andrew M. Edmonds, Nicola Palmer, Matthew L. Markham, Robert J. Cava, Patrick Maletinsky, and Nathalie P. de Leon
• Abstract要約: ダイヤモンド中の中性シリコン空孔中心(SiV0)は量子ネットワークの候補である。 SiV0の安定化には高純度、ホウ素をドープしたダイヤモンドが必要である。 ダイヤモンド表面の化学制御による代替手法を実証する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 2.034239614097933
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Neutral silicon vacancy centers (SiV0) in diamond are promising candidates for quantum networks because of their long spin coherence times and stable, narrow optical transitions. However, stabilizing SiV0 requires high purity, boron doped diamond, which is not a readily available material. Here, we demonstrate an alternative approach via chemical control of the diamond surface. We use low-damage chemical processing and annealing in a hydrogen environment to realize reversible and highly stable charge state tuning in undoped diamond. The resulting SiV0 centers display optically detected magnetic resonance and bulk-like optical properties. Controlling the charge state tuning via surface termination offers a route for scalable technologies based on SiV0 centers, as well as charge state engineering of other defects.
• Abstract（参考訳）: ダイヤモンド中の中性シリコン空孔中心(SiV0)は、長いスピンコヒーレンス時間と安定した光学遷移のために量子ネットワークの候補となる。 しかし、SiV0の安定化には高純度、ホウ素をドープしたダイヤモンドが必要である。 ここでは,ダイヤモンド表面の化学制御による代替手法を示す。 我々は水素環境下での低損傷化学処理とアニール処理を用いて、未添加ダイヤモンドの可逆かつ高安定な電荷状態チューニングを実現する。 得られたSiV0中心は、光学的に検出された磁気共鳴とバルク状光学特性を示す。 表面終端による電荷状態チューニングの制御は、SiV0センターに基づくスケーラブルな技術と、他の欠陥の電荷状態工学の経路を提供する。

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