論文の概要: Hybrid III-V diamond photonic platform for quantum nodes based on neutral silicon vacancy centers in diamond

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2012.15018v1
• Date: Wed, 30 Dec 2020 03:14:21 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-18 08:06:50.175428
• Title: Hybrid III-V diamond photonic platform for quantum nodes based on neutral silicon vacancy centers in diamond
• Title（参考訳）: ダイヤモンド中性シリコン空孔中心に基づく量子ノード用ハイブリッドIII-Vダイヤモンドフォトニックプラットフォーム
• Authors: Ding Huang, Alex Abulnaga, Sacha Welinski, Mouktik Raha, Jeff D. Thompson, and Nathalie P. de Leon
• Abstract要約: ダイヤモンド中の中性シリコン空孔(SiV0)中心のために設計された、不均一に集積されたオンチップIII-Vダイヤモンドプラットフォームについて述べる。 ダイヤモンド表面近くのSiV0中心へのエバネッセント結合により、このプラットフォームはSiV0放出のパーセル増強と、通信Cバンドへの効率的な周波数変換を可能にする。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Integrating atomic quantum memories based on color centers in diamond with on-chip photonic devices would enable entanglement distribution over long distances. However, efforts towards integration have been challenging because color centers can be highly sensitive to their environment, and their properties degrade in nanofabricated structures. Here, we describe a heterogeneously integrated, on-chip, III-V diamond platform designed for neutral silicon vacancy (SiV0) centers in diamond that circumvents the need for etching the diamond substrate. Through evanescent coupling to SiV0 centers near the surface of diamond, the platform will enable Purcell enhancement of SiV0 emission and efficient frequency conversion to the telecommunication C-band. The proposed structures can be realized with readily available fabrication techniques.
• Abstract（参考訳）: ダイヤモンドのカラーセンタに基づく原子量子メモリとオンチップフォトニックデバイスを統合することで、長距離の絡み合い分布が可能になる。 しかし、色中心は環境に非常に敏感であり、ナノファブリケート構造ではその性質が劣化するため、統合への取り組みは困難である。 本稿では,ダイヤモンド基板のエッチングを回避し,中性シリコン空隙(siv0)センタ用に設計された異種集積型,オンチップ,iii-vダイヤモンドプラットフォームについて述べる。 ダイヤモンド表面近くのSiV0中心へのエバネッセント結合により、このプラットフォームはSiV0放出のパーセル増強と、通信Cバンドへの効率的な周波数変換を可能にする。 提案した構造は手軽に製造できる技術で実現できる。

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