論文の概要: Compact vacuum gap transmon qubits: Selective and sensitive probes for
superconductor surface losses
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2206.14104v3
- Date: Mon, 11 Jul 2022 19:12:24 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-02-07 10:03:50.139284
- Title: Compact vacuum gap transmon qubits: Selective and sensitive probes for
superconductor surface losses
- Title(参考訳): 小型真空ギャップトランスモン量子ビット : 超伝導表面損失の選択的・感度プローブ
- Authors: M. Zemlicka, E. Redchenko, M. Peruzzo, F. Hassani, A. Trioni, S.
Barzanjeh, J. M. Fink
- Abstract要約: 最先端のトランスモン量子ビットは、そのコヒーレンスを体系的に改善する大きなコンデンサに依存している。
トランスモン量子ビットのサイズは36$×399$m$2$と$gtrsim$100 nmワイド真空ギャップコンデンサを提示する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: State-of-the-art transmon qubits rely on large capacitors which
systematically improves their coherence due to reduced surface loss
participation. However, this approach increases both the footprint and the
parasitic cross-coupling and is ultimately limited by radiation losses - a
potential roadblock for scaling up quantum processors to millions of qubits. In
this work we present transmon qubits with sizes as low as 36$ \times $39$
\mu$m$^2$ with $\gtrsim$100 nm wide vacuum gap capacitors that are
micro-machined from commercial silicon-on-insulator wafers and shadow
evaporated with aluminum. After the release in HF vapor we achieve a vacuum
participation ratio up to 99.6\% in an in-plane design that is compatible with
standard coplanar circuits. Qubit relaxation time measurements for small gaps
with high vacuum electric fields of up to 22 V/m reveal a double exponential
decay indicating comparably strong coupling to long-lived two-level-systems
(TLS). The exceptionally high selectivity of $>$20 dB to the
superconductor-vacuum surface allows to precisely back out the
sub-single-photon dielectric loss tangent of aluminum oxide exposed to ambient
conditions. In terms of future scaling potential we achieve a qubit quality
factor by footprint area of $20 \mu \mathrm{s}^{-2}$, which is on par with the
highest $T_1$ devices relying on larger geometries and expected to improve
substantially for lower loss superconductors like NbTiN, TiN or Ta.
- Abstract(参考訳): 最先端のトランスモン量子ビットは大きなコンデンサに依存しており、表面損失の減少によるコヒーレンスを体系的に改善している。
しかし、このアプローチはフットプリントと寄生クロスカップリングの両方を増加させ、最終的には放射損失によって制限される。
本研究では, 市販シリコンオン絶縁体ウエハとアルミニウムで蒸発したシャドウをマイクロ加工した広真空ギャップコンデンサを用いて, 36$ \times $39$ \mu$m$^2$と$\gtrsim$100 nmのトランスモン量子ビットを提示する。
hf蒸気の放出後、標準的なコプラナー回路と互換性のある平面内設計において、真空参加比を99.6\%まで達成する。
真空電場が最大22 V/mの小さなギャップに対する量子緩和時間測定は、長寿命の2レベル系(TLS)との可分に強い結合を示す二重指数崩壊を示す。
超伝導体-真空表面への20db以下の極めて高い選択性は、環境条件に曝露した酸化アルミニウムの単光子誘電損失を正確にバックアウトすることができる。
将来のスケーリングポテンシャルの面では、フットプリント面積が20 \mu \mathrm{s}^{-2}$で、T_1$デバイスがより大きなジオメトリーに依存し、NbTiN、TiN、Taなどの低損失超伝導体に対して大幅に改善されることが期待されている。
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