論文の概要: Current Paths in an Atomic Precision Advanced Manufactured Device Imaged
by Nitrogen-Vacancy Diamond Magnetic Microscopy
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2207.14254v1
- Date: Thu, 28 Jul 2022 17:38:51 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-02-03 04:51:21.968118
- Title: Current Paths in an Atomic Precision Advanced Manufactured Device Imaged
by Nitrogen-Vacancy Diamond Magnetic Microscopy
- Title(参考訳): 窒素・原子価ダイヤモンド磁気顕微鏡による原子精密加工装置の現況
- Authors: Luca Basso, Pauli Kehayias, Jacob Henshaw, Maziar Saleh Ziabari,
Heejun Byeon, Michael P. Lilly, Ezra Bussmann, Deanna M. Campbell, Shashank
Misra, Andrew M. Mounce
- Abstract要約: 窒素空孔(NV) マグマ分解能を持つミリフィールドのAPAM試験装置内を流れる表面電流密度からの成層磁場の広視野イメージング
電流密度再構成マップの解析では,6muAの200mのAPAMリボンにおいて最小の検出電流に対応する0.03A/mの感度が予測された。
これらの結果は、APAM材料におけるNV広磁場磁力計の故障解析能力を示し、他の最先端マイクロエレクトロニクスデバイスを調査する可能性を示している。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: The recently-developed ability to control phosphorous-doping of silicon at an
atomic level using scanning tunneling microscopy (STM), a technique known as
atomic-precision-advanced-manufacturing (APAM), has allowed us to tailor
electronic devices with atomic precision, and thus has emerged as a way to
explore new possibilities in Si electronics. In these applications, critical
questions include where current flow is actually occurring in or near APAM
structures as well as whether leakage currents are present. In general,
detection and mapping of current flow in APAM structures are valuable
diagnostic tools to obtain reliable devices in digital-enhanced applications.
In this paper, we performed nitrogen-vacancy (NV) wide-field magnetic imaging
of stray magnetic fields from surface current densities flowing in an APAM test
device over a mm-field of view with {\mu}m-resolution. To do this, we
integrated a diamond having a surface NV ensemble with the device (patterned in
two parallel mm-sized ribbons), then mapped the magnetic field from the DC
current injected in the APAM device in a home-built NV wide-field microscope.
The 2D magnetic field maps were used to reconstruct the surface current
density, allowing us to obtain information on current paths, device failures
such as choke points where current flow is impeded, and current leakages
outside the APAM-defined P-doped regions. Analysis on the current density
reconstructed map showed a projected sensitivity of ~0.03 A/m, corresponding to
a smallest detectable current in the 200 {\mu}m-wide APAM ribbon of ~6 {\mu}A.
These results demonstrate the failure analysis capability of NV wide-field
magnetometry for APAM materials, opening the possibility to investigate other
cutting-edge microelectronic devices.
- Abstract(参考訳): 最近開発された原子レベルでのシリコンのリンドーピングを走査トンネル顕微鏡(STM)によって制御する能力は、原子精密加工(APAM)として知られる技術で、我々は原子精度で電子機器を調整できるようになり、Si電子の新しい可能性を探究する方法として登場した。
これらのアプリケーションでは、アパム構造内で電流の流れが実際に起きているか、あるいはリーク電流が存在するかといった重要な疑問がある。
一般に、アパム構造における電流の流れの検出とマッピングは、ディジタルエンハンスドアプリケーションにおいて信頼できるデバイスを得る上で有用な診断ツールである。
本研究では, apam試験装置内を流れる表面電流密度から, {\mu}m分解能のmmフィールド上での成層磁場の窒素空隙(nv)広視野磁気イメージングを行った。
そこで我々は,2つのパラレルmmサイズのリボンにパターン化された表面NVアンサンブルを有するダイヤモンドを集積し,APAM装置に注入された直流電流から,自家製NV広視野顕微鏡で磁場をマッピングした。
2次元磁場マップを用いて表面電流密度を再構成し、電流経路、電流の流れを妨げるチョーク点などの装置故障、APAMで定義されたPドープ領域外の電流漏れなどの情報を得ることができた。
電流密度再構成マップの解析により,約6 {\mu}aの200 {\mu}m-アパムリボンにおける最小検出電流に相当する約0.03 a/mの感度を示した。
これらの結果は、APAM材料におけるNV広磁場磁力計の故障解析能力を示し、他の最先端マイクロエレクトロニクスデバイスを調査する可能性を示している。
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