Fugu-MT 論文翻訳(概要): Vertical GaN Diode BV Maximization through Rapid TCAD Simulation and ML-enabled Surrogate Model

論文の概要: Vertical GaN Diode BV Maximization through Rapid TCAD Simulation and ML-enabled Surrogate Model

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2208.01142v1
Date: Mon, 18 Jul 2022 05:55:45 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2022-08-07 14:40:01.446170
Title: Vertical GaN Diode BV Maximization through Rapid TCAD Simulation and ML-enabled Surrogate Model
Title（参考訳）: 高速TCADシミュレーションとML対応サロゲートモデルによる垂直GaNダイオードBVの最大化
Authors: Albert Lu, Jordan Marshall, Yifan Wang, Ming Xiao, Yuhao Zhang, Hiu Yung Wong
Abstract要約: 垂直GaNダイオードの設計を2100Vの理論的最大BVで高速化するために2つの手法が用いられている。まず,TCAD(Technology Computer-Aided-Design)における5倍高速な高精度シミュレーション手法の実証を行った。第2に、TCAD生成データを用いて機械学習(ML)モデルを開発し、微分進化最適化のための代理モデルとして利用する。
参考スコア（独自算出の注目度）: 20.25681020815201
License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Abstract: In this paper, two methodologies are used to speed up the maximization of the breakdown volt-age (BV) of a vertical GaN diode that has a theoretical maximum BV of ~2100V. Firstly, we demonstrated a 5X faster accurate simulation method in Technology Computer-Aided-Design (TCAD). This allows us to find 50% more numbers of high BV (>1400V) designs at a given simulation time. Secondly, a machine learning (ML) model is developed using TCAD-generated data and used as a surrogate model for differential evolution optimization. It can inversely design an out-of-the-training-range structure with BV as high as 1887V (89% of the ideal case) compared to ~1100V designed with human domain expertise.
Abstract（参考訳）: 本稿では,理論的な最大BV ~ 2100V を持つ垂直GaNダイオードの破壊ボルトエイジ(BV)の最大化を高速化するために2つの手法を用いる。まず,TCAD(Technology Computer-Aided-Design)における5倍高速な高精度シミュレーション手法を実演した。これにより、与えられたシミュレーション時間で50%以上の高BV (>1400V) 設計を見つけることができる。第2に、TCAD生成データを用いて機械学習(ML)モデルを開発し、微分進化最適化のための代理モデルとして利用する。 BVが1887V(理想的なケースの89%)まで高いトレーニング対象外の構造を、人間ドメインの専門知識で設計された1100Vと逆向きに設計することができる。

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