論文の概要: Aluminum nitride waveguide beam splitters for integrated quantum photonic circuits

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2208.01377v1
• Date: Tue, 2 Aug 2022 11:48:35 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-02-02 14:29:15.045665
• Title: Aluminum nitride waveguide beam splitters for integrated quantum photonic circuits
• Title（参考訳）: 集積量子フォトニック回路用窒化アルミニウム導波路ビームスプリッタ
• Authors: Hyeong-Soon Jang, Donghwa Lee, Hyungjun Heo, Yong-Su Kim, Hyang-Tag Lim, Seung-Woo Jeon, Sung Moon, Sangin Kim, Sang-Wook Han, Hojoong Jung
• Abstract要約: 絶縁体上に発泡ポリ結晶窒化アルミニウム(AlN)を用いた量子デバイス用集積フォトニック回路を示す。 量子フォトニクスにおいて最も重要なコンポーネントの1つであるオンチップAlN導波路配向結合体が製造されている。 作製したAlN導波路ビームスプリッタを用いて、91.7 +(-) 5.66 %の可視性で香港・ウー・マンデル干渉を観測した。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 1.083504248254529
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: We demonstrate integrated photonic circuits for quantum devices using sputtered polycrystalline aluminum nitride (AlN) on insulator. The on-chip AlN waveguide directional couplers, which are one of the most important components in quantum photonics, are fabricated and show the output power splitting ratios from 50:50 to 99:1. The polarization beam splitters with an extinction ratio of more than 10 dB are also realized from the AlN directional couplers. Using the fabricated AlN waveguide beam splitters, we observe the Hong-Ou-Mandel interference with a visibility of 91.7 +(-) 5.66 %.
• Abstract（参考訳）: 絶縁体上の多結晶窒化アルミニウム(aln)スパッタを用いた量子デバイス用集積フォトニック回路の実証を行った。 量子フォトニクスにおいて最も重要な成分の1つであるオンチップAlN導波路配向結合体を作製し,50:50から99:1までの出力パワー分割比を示す。 また、AlN配向カプラから10dB以上の消長比の偏光ビームスプリッタも実現した。 作製したAlN導波路ビームスプリッタを用いて、91.7 +(-) 5.66 %の可視性で香港・ウー・マンデル干渉を観測した。

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