論文の概要: Recent advances in hole-spin qubits

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2210.13725v1
• Date: Tue, 25 Oct 2022 02:43:44 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-01-21 16:13:32.295094
• Title: Recent advances in hole-spin qubits
• Title（参考訳）: ホールスピン量子ビットの最近の進歩
• Authors: Yinan Fang, Pericles Philippopoulos, Dimitrie Culcer, W. A. Coish, and Stefano Chesi
• Abstract要約: 近年、半導体量子ドットに基づくホールスピン量子ビットは急速に進歩している。 まず、電子スピン対について、これらのホールスピン量子ビットの主な利点を概説し、それらを記述する一般的な理論的枠組みを示す。 論文の第2部では、GaAs、Si、Si/Geヘテロ構造に基づく比較的広い範囲のデバイスにまたがる実験的な実現に関する調査を行っている。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: In recent years, hole-spin qubits based on semiconductor quantum dots have advanced at a rapid pace. We first review the main potential advantages of these hole-spin qubits with respect to their electron-spin counterparts, and give a general theoretical framework describing them. The basic features of spin-orbit coupling and hyperfine interaction in the valence band are discussed, together with consequences on coherence and spin manipulation. In the second part of the article we provide a survey of experimental realizations, which spans a relatively broad spectrum of devices based on GaAs, Si, or Si/Ge heterostructures. We conclude with a brief outlook.
• Abstract（参考訳）: 近年、半導体量子ドットに基づくホールスピン量子ビットは急速に進歩している。 まず、電子スピン対について、これらのホールスピン量子ビットの主な利点を概説し、それらを記述する一般的な理論的枠組みを示す。 原子価バンドにおけるスピン軌道結合と超微粒子相互作用の基本的特徴と、コヒーレンスやスピン操作の影響について論じる。 論文の第2部では、GaAs、Si、Si/Geヘテロ構造に基づく比較的広い範囲のデバイスにまたがる実験的な実現に関する調査を行っている。 私たちは短い見通しで締めくくる。

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