論文の概要: Silicon anisotropy in a bi-dimensional optomechanical cavity
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2211.10573v1
- Date: Sat, 19 Nov 2022 03:18:51 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-01-18 01:58:15.932201
- Title: Silicon anisotropy in a bi-dimensional optomechanical cavity
- Title(参考訳): 二次元光学空洞におけるシリコン異方性
- Authors: Cau\^e M. Kersul, Rodrigo Benevides, Fl\'avio Moraes, Gabriel H. M. de
Aguiar, Andreas Wallucks, Simon Gr\"oblacher, Gustavo S. Wiederhecker and
Thiago P. Mayer Alegre
- Abstract要約: シリコンの結晶化方向に対するメカニカルスペクトルと装置の相対角とのオプトロメカニカルカップリングの依存性を示す。
以上の結果から,装置の配向が機械的バンド構造に強く影響していることが示唆された。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: In this work, we study the effects of mechanical anisotropy in a 2D
optomechanical crystal geometry. We fabricate and measure devices with
different orientations, showing the dependence of the mechanical spectrum and
the optomechanical coupling with the relative angle of the device to the
crystallography directions of silicon. Our results show that the device
orientation strongly affects its mechanical band structure, which makes the
devices more susceptible to fabrication imperfections. Finally, we show that
our device is compatible with cryogenic measurements reaching ground state
occupancy of 0.2 phonons at mK temperature.
- Abstract(参考訳): 本研究では,2次元光学結晶幾何学における機械異方性の影響について検討する。
シリコンの結晶化方向に対する機械的スペクトルと装置の相対角度との光学的結合の依存性を示すため,異なる配向のデバイスを作製・測定した。
以上の結果から, デバイス配向が機械的バンド構造に強く影響し, 製造不完全化の影響を受けやすいことがわかった。
最後に, この装置は, mK温度で0.2フォノンの接地状態に到達した低温測定と互換性があることを示す。
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