Fugu-MT 論文翻訳(概要): Tunable Capacitor For Superconducting Qubits Using an InAs/InGaAs Heterostructure

論文の概要: Tunable Capacitor For Superconducting Qubits Using an InAs/InGaAs Heterostructure

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2212.04598v2
Date: Wed, 12 Jul 2023 16:57:40 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-07-13 20:06:57.562909
Title: Tunable Capacitor For Superconducting Qubits Using an InAs/InGaAs Heterostructure
Title（参考訳）: InAs/InGaAsヘテロ構造を用いた超伝導量子ビット用可変キャパシタ
Authors: Nicholas Materise, Matthieu C. Dartiailh, William M. Strickland, Javad Shabani, Eliot Kapit
Abstract要約: 低損失高コントラストカップラの開発は超伝導量子ビットのスケールアップに不可欠である。 InAs/InGaAsヘテロ構造における2次元電子ガスで実現したゲート可変カプラの青写真を示す。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Abstract: Adoption of fast, parametric coupling elements has improved the performance of superconducting qubits, enabling recent demonstrations of quantum advantage in randomized sampling problems. The development of low loss, high contrast couplers is critical for scaling up these systems. We present a blueprint for a gate-tunable coupler realized with a two-dimensional electron gas in an InAs/InGaAs heterostructure. Rigorous numerical simulations of the semiconductor and high frequency electromagnetic behavior of the coupler and microwave circuitry yield an on/off ratio of more than one order of magnitude. We give an estimate of the dielectric-limited loss from the inclusion of the coupler in a two qubit system, with coupler coherences ranging from a few to tens of microseconds.
Abstract（参考訳）: 高速パラメトリック結合素子の採用により超伝導量子ビットの性能が向上し、ランダム化サンプリング問題における量子優位性の最近の実証が可能となった。低損失高コントラストカプラの開発は、これらのシステムのスケールアップに不可欠である。 InAs/InGaAsヘテロ構造における2次元電子ガスで実現したゲート可変カプラの青写真を示す。半導体の厳密な数値シミュレーションとカプラとマイクロ波回路の高周波電磁特性により、1桁以上のオン/オフ比が得られる。 2量子ビット系におけるカプラーの包含から誘電体制限損失を推定し、カプラーコヒーレンスを数マイクロ秒から数十マイクロ秒に設定した。

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