論文の概要: Tuning the nuclei-induced spin relaxation of localized electrons by the quantum Zeno and anti-Zeno effects

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2212.07995v1
• Date: Thu, 15 Dec 2022 17:48:36 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-01-09 15:34:44.353071
• Title: Tuning the nuclei-induced spin relaxation of localized electrons by the quantum Zeno and anti-Zeno effects
• Title（参考訳）: 量子ゼノ効果と反ゼノ効果による局在電子の核誘起スピン緩和のチューニング
• Authors: V. Nedelea, N. V. Leppenen, E. Evers, D. S. Smirnov, M. Bayer, and A. Greilich
• Abstract要約: 量子測定バックアクションを効率よく利用して、局在電子のスピン緩和を調整できることが示される。 光ポンプ-プローブ実験において、強力なプローブパルスは量子ゼノ効果によるInGaAsエピレイヤー中のSiドーナ上の電子のスピン緩和を抑制する。 プローブパワーの増加は、量子反ゼノ効果によるInGaAs量子ドット中の電子のスピン緩和のスピードアップにつながる。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Quantum measurement back action is fundamentally unavoidable when manipulating electron spins. Here we demonstrate that this back action can be efficiently exploited to tune the spin relaxation of localized electrons induced by the hyperfine interaction. In optical pump-probe experiments, powerful probe pulses suppress the spin relaxation of electrons on Si donors in an InGaAs epilayer due to the quantum Zeno effect. By contrast, an increase of the probe power leads to a speed up of the spin relaxation for electrons in InGaAs quantum dots due to the quantum anti-Zeno effect. The microscopic description shows that the transition between the two regimes occurs when the spin dephasing time is comparable to the probe pulse repetition period.
• Abstract（参考訳）: 量子測定バックアクションは電子スピンを操作するときに基本的に避けられない。 ここでは,超微粒子相互作用によって誘起される局在電子のスピン緩和を効率的に調整するために,このバックアクションを活用できることを実証する。 光ポンプ-プローブ実験において、強力なプローブパルスは量子ゼノ効果によるInGaAsエピレイヤー中のSi供与体の電子のスピン緩和を抑制する。 対照的に、プローブパワーの増加は、量子反ゼノ効果によるInGaAs量子ドット中の電子のスピン緩和のスピードアップにつながる。 微視的な記述は、スピン脱落時間がプローブパルス繰り返し周期に匹敵するときに、2つの状態間の遷移が生じることを示している。

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