論文の概要: Magnetic Proximity Effect in an Antiferromagnetic Insulator/Topological
Insulator Heterostructure with Sharp Interface
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2104.13655v1
- Date: Wed, 28 Apr 2021 09:22:21 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-02 04:38:27.556067
- Title: Magnetic Proximity Effect in an Antiferromagnetic Insulator/Topological
Insulator Heterostructure with Sharp Interface
- Title（参考訳）: 鋭い界面を有する反強磁性絶縁体/トポロジカル絶縁体ヘテロ構造における磁気近接効果
- Authors: Yuxin Liu, Xuefan Niu, Rencong Zhang, Qinghua Zhang, Jing Teng, and
Yongqing Li
- Abstract要約: MnSe/(Bi,Sb)2Te3ヘテロ構造体においてMnSeが反強磁性絶縁体であり、(Bi,Sb)2Te3が3次元トポロジカル絶縁体(TI)である電子輸送特性の実験的研究を行った。
解析の結果,トップTI表面のみがMnSeに近接していても,1.6Kの温度と5Tの磁場で0.1e/hを超える異常ホールコンダクタンスを実質的に変化させることができることがわかった。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 2.6872577881061046
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We report an experimental study of electron transport properties of
MnSe/(Bi,Sb)2Te3 heterostructures, in which MnSe is an antiferromagnetic
insulator, and (Bi,Sb)2Te3 is a three-dimensional topological insulator (TI).
Strong magnetic proximity effect is manifested in the measurements of the Hall
effect and longitudinal resistances. Our analysis shows that the gate voltage
can substantially modify the anomalous Hall conductance, which exceeds 0.1 e2/h
at temperature of 1.6 K and magnetic field of 5 T, even though only the top TI
surface is in proximity to MnSe. This work suggests that heterostructures based
on antiferromagnetic insulators provide a promising platform for investigating
a wide range of topological spintronic phenomena.
- Abstract（参考訳）: 本稿では,MnSe/(Bi,Sb)2Te3ヘテロ構造,MnSeが反強磁性絶縁体であり,(Bi,Sb)2Te3が3次元トポロジカル絶縁体(TI)である電子輸送特性の実験的検討を行った。
強磁場近接効果はホール効果と長手抵抗の測定で示される。
解析の結果, 最上面のみmnseに近接していても, ゲート電圧は1.6kの温度で0.1e2/hを超える異常ホールコンダクタンスと5tの磁場を実質的に変化させることができることがわかった。
この研究は、反強磁性絶縁体に基づくヘテロ構造は、幅広いトポロジカルスピントロニクス現象を調査するための有望な基盤であることを示唆している。
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