論文の概要: Characterization of loss mechanisms in a fluxonium qubit
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2302.08110v1
- Date: Thu, 16 Feb 2023 06:19:12 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-02-17 14:43:04.080867
- Title: Characterization of loss mechanisms in a fluxonium qubit
- Title（参考訳）: フラックスニウム量子ビットにおける損失機構のキャラクタリゼーション
- Authors: Hantao Sun, Feng Wu, Hsiang-Sheng Ku, Xizheng Ma, Jin Qin, Zhijun
Song, Tenghui Wang, Gengyan Zhang, Jingwei Zhou, Yaoyun Shi, Hui-Hai Zhao,
Chunqing Deng
- Abstract要約: 我々は、ジョセフソンエネルギーを異なるフラックスバイアスと異なるジョセフソンエネルギー値でその場で調整可能なフラクソニウム量子ビットを特徴付ける。
熱エネルギー$k_B T$の周囲の1次以上に及ぶキュービットエネルギー値での緩和速度は、誘電損失と1/f$フラックスノイズと交差点との組合せによって定量的に説明できる。
特に、ジョセフソンエネルギーの増大により、フラックス不感点においてクビット周波数が減少するにつれて、このクビットはTLS欠陥とより弱い結合を示すことが分かる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 25.014343643597424
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Using a fluxonium qubit with in situ tunability of its Josephson energy, we
characterize its energy relaxation at different flux biases as well as
different Josephson energy values. The relaxation rate at qubit energy values,
ranging more than one order of magnitude around the thermal energy $k_B T$, can
be quantitatively explained by a combination of dielectric loss and $1/f$ flux
noise with a crossover point. The amplitude of the $1/f$ flux noise is
consistent with that extracted from the qubit dephasing measurements at the
flux sensitive points. In the dielectric loss dominant regime, the loss is
consistent with that arises from the electric dipole interaction with
two-level-system (TLS) defects. In particular, as increasing Josephson energy
thus decreasing qubit frequency at the flux insensitive spot, we find that the
qubit exhibits increasingly weaker coupling to TLS defects thus desirable for
high-fidelity quantum operations.
- Abstract（参考訳）: ジョセフソンエネルギーの in situ tunability を持つフラックスニウム量子ビットを用いて、異なるフラックスバイアスと異なるジョセフソンエネルギー値でのエネルギー緩和を特徴付ける。
熱エネルギー$k_B T$の周囲の1次以上に及ぶキュービットエネルギー値での緩和速度は、誘電損失と1/f$フラックスノイズと交差点との組合せによって定量的に説明できる。
1/f$のフラックスノイズの振幅は、フラックス感度点における量子ビットデファス測定から抽出された振幅と一致する。
誘電体損失支配体制では、損失は2レベル系(TLS)欠陥との電気双極子相互作用から生じるものと一致している。
特に、ジョセフソンエネルギーの増大により、フラックス不感点において量子ビット周波数が減少するにつれて、量子ビットはTLS欠陥とのより弱い結合を示すため、高忠実な量子演算が望ましい。
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