Fugu-MT 論文翻訳(概要): Controlled-NOT gate based on the Rydberg states of surface electrons

論文の概要: Controlled-NOT gate based on the Rydberg states of surface electrons

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2303.08650v4
Date: Tue, 4 Jul 2023 14:28:06 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-07-06 22:46:16.920008
Title: Controlled-NOT gate based on the Rydberg states of surface electrons
Title（参考訳）: 表面電子のリドバーグ状態に基づく制御なしゲート
Authors: Jun Wang, Wan-Ting He, Cong-Wei Lu, Yang-Yang Wang, Qing Ai, Hai-Bo Wang
Abstract要約: 表面電子(SE)は、量子計算と量子シミュレーションのための完璧な2次元プラットフォームを提供する。 2量子系は、SE の4レベル Rydberg 構造に符号化される。状態伝達は中間レベルを持つ3レベル構造によって達成される。
参考スコア（独自算出の注目度）: 9.006173910470364
License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Abstract: Due to the long coherence time and efficient manipulation, the surface electron (SE) provides a perfect two-dimensional platform for quantum computation and quantum simulation. In this work, a theoretical scheme to realize the controlled-NOT (CNOT) gate is proposed, where the two-qubit system is encoded on the four-level Rydberg structure of SE. The state transfer is achieved by a three-level structure with an intermediate level. By simultaneously driving the SE with two external electromagnetic fields, the dark state in the electromagnetically induced transparency (EIT) effect is exploited to suppress the population of the most dissipative state and increase the robustness against dissipation. The fidelity of the scheme is 0.9989 with experimentally achievable parameters.
Abstract（参考訳）: 長いコヒーレンス時間と効率的な操作のため、表面電子(se)は量子計算と量子シミュレーションのための完全な2次元プラットフォームを提供する。本研究では,制御NOT(CNOT)ゲートを実現するための理論スキームを提案し,SEの4レベルRydberg構造上に2量子系を符号化する。状態伝達は中間レベルを持つ3レベル構造によって達成される。 2つの外部電磁界でSEを同時に駆動することにより、電磁誘導透過(EIT)効果の暗黒状態を利用して、最も散逸した状態の人口を抑制し、散逸に対する堅牢性を高める。このスキームの忠実性は、実験的に達成可能なパラメータで 0.9989 である。

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