論文の概要: Voltage Activated Parametric Entangling Gates on Gatemons
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2304.08469v1
- Date: Mon, 17 Apr 2023 17:49:59 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-18 14:04:45.956202
- Title: Voltage Activated Parametric Entangling Gates on Gatemons
- Title(参考訳): ゲートモンにおける電圧活性化パラメトリックエンタングリングゲート
- Authors: Yinqi Chen, Konstantin N. Nesterov, Hugh Churchill, Javad Shabani,
Vladimir E. Manucharyan, Maxim G. Vavilov
- Abstract要約: 本稿では、ジョセフソンエネルギーの交流電圧変調による超伝導体-半導体ハイブリッド量子ビット上のエンタングルゲートの生成について述べる。
数値シミュレーションにより,75ns長の2ビットゲートで1次誤差が10~5ドル以下になることを示す。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We describe the generation of entangling gates on
superconductor-semiconductor hybrid qubits by ac voltage modulation of the
Josephson energy. Our numerical simulations demonstrate that the unitary error
can be below $10^{-5}$ in a variety of 75-ns-long two-qubit gates (CZ, $i$SWAP,
and $\sqrt{i\mathrm{SWAP}}$) implemented using parametric resonance. We analyze
the conditional ZZ phase and demonstrate that the CZ gate needs no further
phase correction steps, while the ZZ phase error in SWAP-type gates can be
compensated by choosing pulse parameters. With decoherence considered, we
estimate that qubit relaxation time needs to exceed $70\mu\mathrm{s}$ to
achieve the 99.9% fidelity threshold.
- Abstract(参考訳): ジョゼフソンエネルギーの交流電圧変調による超伝導-半導体ハイブリッド量子ビット上の絡み合いゲートの生成について述べる。
数値シミュレーションにより, パラメトリック共鳴を用いて実装した75ns長の2量子ゲート (cz, $i$swap, $\sqrt{i\mathrm{swap}}$) において, ユニタリ誤差が10^{-5}$以下であることが証明された。
我々は、条件付きZZ位相を解析し、CZゲートがさらなる位相補正ステップを必要とせず、SWAP型ゲートにおけるZZ位相誤差はパルスパラメータを選択することで補償可能であることを示す。
デコヒーレンスを考えると、99.9%の忠実度しきい値を達成するために、キュービット緩和時間は$70\mu\mathrm{s}$を超える必要があると推定する。
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