論文の概要: Atomic Layer Deposition Nucleation Dependence on Diamond Surface Termination

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2304.13834v1
• Date: Wed, 26 Apr 2023 21:36:49 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-28 15:01:31.075457
• Title: Atomic Layer Deposition Nucleation Dependence on Diamond Surface Termination
• Title（参考訳）: ダイヤモンド表面における原子層堆積核生成
• Authors: Jessica C. Jones, Nazar Delegan, F. Joseph Heremans, Alex B. F. Martinson
• Abstract要約: 表面の終端と界面の相互作用は、高度な固体量子応用には不可欠である。 我々は、原子層堆積(ALD)が、表面の化学的環境に関する貴重な洞察を与えることを実証した。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
• Abstract: Surface termination and interfacial interactions are critical for advanced solid-state quantum applications. In this paper, we demonstrate that atomic layer deposition (ALD) can both provide valuable insight on the chemical environment of the surface, having sufficient sensitivity to distinguish between the common diamond (001) surface termination types and passivate these interfaces as desired. We selected diamond substrates exhibiting both smooth and anomalously rough surfaces to probe the effect of morphology on ALD nucleation. We use high resolution in situ spectroscopic ellipsometry to monitor the surface reaction with sub-angstrom resolution, to evaluate the nucleation of an ALD Al2O3 process as a function of different ex and in situ treatments to the diamond surface. In situ water dosing and high vacuum annealing provided the most favorable environment for nucleation of dimethylaluminum isopropoxide and water ALD. Hydrogen termination passivated both smooth and rough surfaces while triacid cleaning passivated the smooth surface only, with striking effectiveness.
• Abstract（参考訳）: 表面終端と界面相互作用は、高度な固体量子応用に不可欠である。 本稿では,原子層堆積(ALD)が表面の化学的環境に関する貴重な洞察を与え,一般的なダイヤモンド (001) 表面の終端型を識別し,これらの界面を所望として通過させるのに十分な感度を持つことを示す。 ALD核形成に及ぼす形態の影響を解明するため, 平滑表面および不均一表面のダイヤモンド基板を選択した。 我々は高分解能In situ分光エリプソメトリーを用いて準アングロスト分解能による表面反応を監視し,ALD Al2O3プロセスの核生成をダイヤモンド表面への異なるexおよびin situ処理の関数として評価した。 ジメチルアルミニウムイソプロポキシドおよび水アルドの核生成には, その場での水和および高真空焼鈍が好適な環境であった。 水素終端は滑らかな表面と粗い表面の両方を受動させ、三酸洗浄は滑らかな表面のみを受動させた。

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